[發明專利]測試靜電夾盤的系統和方法有效
| 申請號: | 200980139294.3 | 申請日: | 2009-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN102171809A | 公開(公告)日: | 2011-08-31 |
| 發明(設計)人: | 石洪;紹拉·烏拉爾;托川·黃;方嚴;麥克切斯尼·喬恩 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 周文強;李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 靜電 系統 方法 | ||
1.一種測試靜電夾盤的方法,所述靜電夾盤具有前表面和后表面并包含至少一個電極,所述方法包含:
建立頻帶內所述靜電夾盤的參數的預定可接受極限;以及
測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述測量所述靜電夾盤的第一參數包含測量電阻。
3.根據權利要求2所述的方法,
其中所述至少一個電極包含第一電極和第二電極,以及
其中所述測量電阻包含測量所述第一電極和所述第二電極之間的電阻。
4.根據權利要求2所述的方法,其中所述測量電阻包含測量所述后表面和所述至少一個電極之一之間的電阻。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述測量所述靜電夾盤的第一參數包含測量電容。
6.根據權利要求5所述的方法,
其中所述至少一個電極包含第一電極和第二電極,以及
其中所述測量電容包含測量所述第一電極和所述第二電極之間的電容。
7.根據權利要求5所述的方法,其中所述測量電容包含測量所述后表面和所述至少一個電極之一之間的電容。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述測量所述靜電夾盤的第一參數包含測量阻抗。
9.根據權利要求8所述的方法,
其中所述至少一個電極包含第一電極和第二電極,以及
其中所述測量阻抗包含測量所述第一電極和所述第二電極之間的阻抗。
10.根據權利要求8所述的方法,其中所述測量阻抗包含測量所述后表面和所述至少一個電極之一之間的阻抗。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含在第一溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以及在第二溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述測量所述靜電夾盤的第一參數包含測量電阻、電容和阻抗中的至少一個。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含在第一溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以及在第二溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數。
14.一種使用單一頻率下參數的已知上限和所述單一頻率下所述參數的已知下限建立靜電夾盤的所述參數的可接受極限的方法,所述方法包含:
測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以獲得所述頻帶內所述參數的函數;
產生所述頻帶內所述參數的所述函數的斜率;
使用所述單一頻率下所述參數的所述已知上限和所述參數的所述函數的斜率產生所述參數的可接受上限,以及
使用所述單一頻率下所述參數的所述已知下限和所述參數的所述函數的斜率產生所述參數的可接受下限。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含測量電阻、電容和阻抗的至少一個。
16.根據權利要求14所述的方法,其中所述測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含在第一溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以及在第二溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數。
17.一種使用單一頻率下參數的已知上限和所述單一頻率下所述參數的已知下限建立靜電夾盤的所述參數的可接受極限的方法,所述方法包含:
多次測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以獲得所述頻帶內所述參數的相應的多個函數;
基于所述多個函數產生所述函數的平均函數;
基于所述多個函數產生所述參數的預定數量的標準偏差;
使用所述參數的所述預定數量的標準偏差產生所述參數的可接受上限和所述參數的可接受下限。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含測量電阻、電容和阻抗的至少一個。
19.根據權利要求17所述的方法,其中所述測量頻帶內所述靜電夾盤的所述參數包含在第一溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數以及在第二溫度測量所述頻帶內所述靜電夾盤的所述參數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





