[發明專利]非易失性存儲器中的數據錯誤恢復

有效

• 申請號: 200980139239.4
• 申請日: 2009-12-03
• 公開（公告）號: CN102171659A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: R·庫爾森;A·法齊奧;J·卡恩
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F11/08
• 分類號: G06F11/08;G06F12/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉瑜;王英

1.一種方法，包括：

確定從基于電荷的非易失性(NV)存儲器的指定范圍的連續存儲位置中讀取的二進制數據包含未被與所述NV存儲器相關聯的糾錯碼(ECC)單元校正的錯誤；

識別所述指定范圍內的哪些存儲單元產生了可能出錯的數據；

改變其數據被確定為可能出錯的所述單元中的至少一些單元的數據；以及

驗證改變后的數據對于所述ECC單元來說是否足夠正確以用來為所述指定范圍提供正確的數據。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述的識別包括：

為至少所述指定范圍內的存儲單元生成電荷電平值的映射表；以及

將所述映射表中各組單元的電荷電平值與電荷電平的預定義模式進行比較，以識別哪些存儲單元產生了可能出錯的二進制數據。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述的識別包括：

確定所述指定范圍內的單元的模擬電荷值；以及

確定所述指定范圍內的哪些單元的模擬電荷值在所述NV存儲器的讀基準電壓的預定電壓量的范圍內。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述的改變包括：

調整被識別為可能出錯的存儲單元的模擬電荷值。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述的改變包括：

用隨機二進制數據替代來自被識別為可能出錯的存儲單元的數據。

6.如權利要求1所述的方法，還包括：

在一電壓范圍內增加讀基準電壓；

對于每次增加，從所述指定范圍的連續存儲位置中讀取二進制數據；以及

識別哪些單元在當前的增加中產生了與前一次增加中不同的二進制數據。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述指定范圍的連續存儲位置是存儲器的頁。

8.一種裝置，包括：

包含處理器和基于電荷的非易失性(NV)存儲器的計算機系統，該計算機系統用于執行：

確定從所述NV存儲器的指定范圍的連續存儲位置中讀取的二進制數據包含未被與所述NV存儲器相關聯的糾錯碼(ECC)單元校正的錯誤；

識別所述指定范圍內的哪些存儲單元產生了可能出錯的數據；

改變其數據被確定為可能出錯的所述單元中的至少一些單元的數據；以及

驗證改變后的數據對于所述ECC單元來說是否足夠正確以用來為所述指定范圍提供正確的數據。

9.如權利要求8所述的裝置，其中，所述的識別包括：

為至少所述指定范圍內的存儲單元生成電荷電平值的映射表；以及

將所述映射表中各組單元的電荷電平值與電荷電平的預定義模式進行比較，以識別哪些存儲單元產生了可能出錯的二進制數據。

10.如權利要求8所述的裝置，其中，所述的識別包括：

確定所述指定范圍內的單元的模擬電荷值；以及

確定所述指定范圍內的哪些單元的模擬電荷值在所述NV存儲器的讀基準電壓的預定電壓量的范圍內。

11.如權利要求8所述的裝置，其中，所述的改變包括：

調整被識別為可能出錯的存儲單元的模擬電荷值。

12.如權利要求8所述的裝置，其中，所述的改變包括：

用隨機二進制數據替代來自被識別為可能出錯的存儲單元的數據。

13.如權利要求8所述的裝置，還包括：

在一電壓范圍內增加讀基準電壓；

對于每次增加，從所述指定范圍的連續存儲位置中讀取二進制數據；以及

識別哪些單元在當前的增加中產生了與前一次增加中不同的二進制數據。

14.一種制品，包括：

包含指令的有形計算機可讀介質，所述指令當被一個或更多個處理器執行時，導致執行以下操作，包括：

確定從基于電荷的非易失性(NV)存儲器的指定范圍的連續存儲位置中讀取的二進制數據包含未被與所述NV存儲器相關聯的糾錯碼(ECC)單元校正的錯誤；

識別所述指定范圍內的哪些存儲單元產生了可能出錯的數據；

改變其數據被確定為可能出錯的所述單元中的至少一些單元的數據；以及

驗證改變后的數據對于所述ECC單元來說是否足夠正確以用來為所述指定范圍提供正確的數據。