[發明專利]在襯底上實現選擇性區域電鍍的方法

有效

• 申請號: 200980139228.6
• 申請日: 2009-11-18
• 公開（公告）號: CN102171804A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: Y·李;I·薩拉馬
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種在襯底上實現選擇性區域電鍍的方法，所述方法包括：

在所述襯底上形成第一導電層；

利用阻焊劑層覆蓋所述第一導電層；

對所述襯底進行構圖以在其中形成特征，所述特征延伸穿過所述阻焊劑層和所述第一導電層；

形成鄰接且電連接至所述第一導電層的第二導電層；

在所述第二導電層上形成第三導電層；以及

去除所述阻焊劑層和所述第一導電層。

2.如權利要求1所述的方法，其中：

形成所述第一導電層包括使用第一化學鍍工藝形成第一銅層；

形成所述第二導電層包括使用第二化學鍍工藝形成第二銅層；

所述第一銅層具有大約0.1微米和大約1.0微米之間的第一厚度；以及

所述第二銅層具有大約等于所述第一厚度的第二厚度。

3.如權利要求1所述的方法，其中：

利用所述阻焊劑層覆蓋所述第一導電層包括在所述第一導電層上涂敷光敏阻焊劑膜，所述光敏阻焊劑膜對電磁波長敏感；并且

將所述光敏阻焊劑膜均勻地暴露至所述電磁波長。

4.如權利要求3所述的方法，其中：

在所述第一導電層上涂敷所述光敏阻焊劑膜包括選自由滾筒涂敷、絲網印刷、旋涂和噴涂所組成的組中的一種操作。

5.如權利要求1所述的方法，其中：

對所述襯底進行構圖以在其中形成特征包括在所述襯底中形成通孔。

6.如權利要求5所述的方法，其中：

對所述襯底進行構圖以在其中形成特征進一步包括在所述襯底中形成嵌入式跡線構圖。

7.如權利要求1所述的方法，其中：

形成所述第三導電層包括使用電解電鍍工藝利用銅來填充所述特征。

8.如權利要求1所述的方法，其中：

去除所述第一導電層包括采用硫酸基溶液化學蝕刻掉所述第一導電層。

9.一種在襯底上實現選擇性區域電鍍的方法，所述方法包括：

在所述襯底上形成第一導電層；

利用疏水聚合物層覆蓋所述第一導電層；

對所述襯底進行構圖以在其中形成特征，所述特征延伸穿過所述疏水聚合物層和所述第一導電層；

形成鄰接且電連接至所述第一導電層的第二導電層；

在所述第二導電層上形成第三導電層；以及

去除所述疏水聚合物層和所述第一導電層。

10.如權利要求9所述的方法，其中：

利用所述疏水聚合物層覆蓋所述第一導電層包括施加選自由PDMS、PE和PTFE構成的組中的聚合物材料。

11.如權利要求9所述的方法，其中：

形成所述第一導電層包括使用第一化學鍍工藝形成第一銅層；

形成所述第二導電層包括使用第二化學鍍工藝形成第二銅層；

所述第一銅層具有大約0.1微米和大約1.0微米之間的第一厚度；以及

所述第二銅層具有大約等于所述第一厚度的第二厚度。

12.如權利要求11所述的方法，其中：

對所述襯底進行構圖以在其中形成所述特征包括在所述襯底中形成通孔。

13.如權利要求12所述的方法，其中：

對所述襯底進行構圖以在其中形成所述特征進一步包括在所述襯底中形成嵌入式跡線構圖。

14.如權利要求13所述的方法，其中：

形成所述第三導電層包括使用電解電鍍工藝利用銅來填充所述特征。

15.如權利要求14所述的方法，其中：

去除所述第一導電層包括使用硫酸基溶液化學蝕刻掉所述第一導電層。

16.一種在襯底上實現選擇性區域電鍍的方法，所述方法包括：

在所述襯底上形成第一導電層；

使用等離子體聚合工藝以在所述第一導電層上沉積疏水碳氫化合物膜；

對所述襯底進行構圖以在其中形成特征，所述特征延伸穿過所述疏水碳氫化合物膜和所述第一導電層；

形成鄰接且電連接至所述第一導電層的第二導電層；

在所述第二導電層上形成第三導電層；以及

去除所述疏水碳氫化合物膜和所述第一導電層。