[發明專利]魯棒高寬比半導體器件

無效

• 申請號: 200980138472.0
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102164845A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 弗萊迪·羅茲博;馬特吉·戈森斯;威廉·弗雷德里克·亞德里亞內斯·貝什林;耐恩克·維爾哈德
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: B81B1/00
• 分類號: B81B1/00;B81C99/00;H01L29/41;H01L31/0224
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體器件，包括第一表面和設置在第一表面上的相鄰的第一和第二電子元件，其中所述第一和第二元件的每一個均從第一表面沿第一方向延伸，所述第一元件具有實質上與第一方向垂直的截面以及至少部分地沿第一方向延伸的側壁表面，其中所述側壁表面包括第一部分以及沿與第一方向實質上平行延伸的線與第一部分相鄰接的第二部分，其中所述第一和第二部分彼此成角度放置以提供一個內角，以及其中在所述內角處的所述側壁表面至少部分地設置成與第二元件的相對部分相距恒定的距離R，用于在所述內角處提供機械加強結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述加強結構處的截面包括圓弧。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述圓弧的中心位于第二元件的相對部分處或其附近。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述圓弧的中心位于第二元件的朝外的角處或其附近。

5.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述第一表面包括特征域并且第一和第二元件的每一個都在實質上整個特征域上延伸。

6.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述第一和第二元件具有實質上類似的形狀和尺寸。

7.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，還包括所述元件的部件之間的一個或者多個間隙，所述間隙優選地橫跨恒定的距離R。

8.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述元件的截面包括交叉指狀圖案。

9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述元件的截面包括Z字形圖案。

10.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述元件的側壁表面的第一和第二部分包括以直角彼此相鄰接的實質上矩形的部分。

11.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述元件側壁至第一表面的過渡實質上處于相同水平。

12.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述側壁的寬度為0.5至10微米的量級，高寬比約為30及以上的量級，并且相鄰元件之間的相互距離小于10微米，優選地小于1微米。

13.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中在集成封裝中，在彼此的頂部堆疊根據前述權利要求中任一項所述的多個電極。

14.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中所述第一表面和其上的多個元件包括以下之一：光電池、β電池、電容器、微型電池、催化劑或者生物傳感器表面。

15.一種模版，所述模版包括用于制造前述權利要求中任一項所述的半導體器件的圖案。