[發明專利]具有納米結構二極管的整流天線設備

有效

• 申請號: 200980138397.8
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN102203949A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: Y·哈內因;A·博亞格;J·朔伊爾;I·弗里德勒
• 申請（專利權）人: 特拉維夫大學拉莫特有限公司
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0352;H01L29/06;H01L51/05;H01L29/86;H01L27/28;H01Q1/24;H01Q9/28;H01L51/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜娟娟;高為

1.一種整流天線設備，包括：

一對電極結構；以及

至少一個納米結構二極管，所述至少一個納米結構二極管至少接觸所述對中的第一電極結構并且至少鄰近所述對中的第二電極結構，

其中，所述對中的至少一個電極結構接收AC輻射，并且所述至少一個納米結構二極管至少部分地對所述AC輻射產生的電流進行整流。

2.如權利要求1所述的設備，還包括至少一個用于接收和增強所述AC輻射，使得所述對中的至少一個電極結構接收所述增強的輻射的介電共振器。

3.一種整流天線系統，包括多個整流天線設備，其中所述整流天線設備中的至少一個是如權利要求1或2所述的整流天線設備。

4.如權利要求3所述的系統，其中，所述多個整流天線設備設置成接收兩個極化。

5.如權利要求1至3中任一項所述的設備或系統，其中，所述電極結構至少部分地由不同的導電材料制成。

6.如權利要求1至5中任一項所述的設備或系統，其中，所述至少一個納米結構二極管接觸所述對中的兩個電極結構。

7.如權利要求1至3中任一項所述的設備或系統，其中，所述電極結構由相同的導電材料制成。

8.如權利要求1至5中任一項所述的設備或系統，其中，所述至少一個納米結構二極管接觸所述對中的一個電極結構而不接觸所述對中的另一個電極結構。

9.如權利要求1至7中任一項所述的設備或系統，其中，所述設備還包括至少一個被基本垂直于由所述一對電極結構限定的假想軸線而定向的附加的電極結構。

10.如權利要求1至9中任一項所述的設備或系統，其中，所述電極結構被成形為確保不對稱電性配置的間隙分開。

11.如權利要求1至9中任一項所述的設備或系統，其中，所述對中的所述電極結構基本是平面的并且以部分重疊的方式設置，其中所述設備還包括介電層，所述介電層用于確保所述對中的所述電極結構之間沒有電接觸，并且其中所述至少一個納米結構二極管接觸所述對中的一個電極結構并與所述對中的另一個電極結構重疊。

12.如權利要求11所述的設備或系統，其中，所述介電層是穿孔的。

13.一種制造整流天線設備的方法，包括：

在基底上沉積第一電極結構；

在所述基底上沉積第二電極結構，從而形成一對電極結構，所述一對電極結構至少部分地暴露并且之間沒有接觸；以及

在所述對中的至少一個的暴露部分上沉積至少一個納米結構，從而形成至少一個至少與所述一對電極結構中的第一電極結構接觸并至少鄰近所述一對電極結構中的第二電極結構的納米結構二極管。

14.如權利要求13所述的方法，還包括在所述基底上以使得所述至少一個納米結構二極管將所述第一電極結構與所述附加的電極結構相互連接的方式沉積附加的電極結構，。

15.如權利要求13所述的方法，其中，所述附加的電極結構被基本垂直于由所述第一電極結構和所述第二電極結構限定的假想軸線而定向.

16.如權利要求13所述的方法，還包括對所述附加的電極結構施加電場，從而使所述至少一個納米結構二極管的端頭燃燒，因此防止所述至少一個納米結構二極管與所述第二電極結構之間的接觸。

17.如權利要求13至16中任一項所述的方法，其中，所述第一電極結構和所述第二電極結構被橫向移位一間隙。

18.如權利要求13至16中任一項所述的方法，還包括在所述第二電極結構的所述沉積之前沉積介電層，使得所述介電層部分地覆蓋所述第一電極結構，其中所述第二電極結構沉積到所述介電層上，使得所述第二電極結構部分地覆蓋所述第一電極結構，并且其中所述至少一個納米結構二極管沉積在所述第二電極結構上，使得所述納米結構二極管與所述第一電極結構部分地重疊。

19.如權利要求13至18中任一項所述的方法，還包括沉積用于將所述電極結構連接到外部設備的至少一個附加的納米結構。

20.如權利要求13至19中任一項所述的方法，其中，所述納米結構的所述沉積通過壓印技術來實現。