[發明專利]使用十八硼烷自我非晶體化注入物的無缺陷接點形成

無效

• 申請號: 200980138301.8
• 申請日: 2009-09-21
• 公開（公告）號: CN102165561A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: J·李;A·M·亨特;B·E·亞當斯;T·莫菲特;S·莫法特
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種處理一基板的方法，包含：

將硼大分子注入到所述基板的表面中；

熔化注入有所述硼大分子的所述基板的所述表面；

再固化注入有所述硼大分子的所述基板的所述表面；和

使所述基板的所述表面退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述硼大分子包含含有至少十六個硼原子的集合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中熔化注入有硼大分子的所述基板的所述表面包含將熱能導向所述基板表面的部分以將所述基板的溫度增加到所述基板表面的所述熔點或以上的溫度。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述熱能包含激光。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述激光是連續不斷的波輻射。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述激光為脈沖的。

7.根據權利要求1所述的方法，其中再固化所述基板的所述表面包含以小于200℃/sec的速度冷卻所述表面。

8.根據權利要求1所述的方法，其中使所述基板的所述表面退火包含將所述基板表面維持于至少400℃的溫度達至少1分鐘。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述硼大分子包含十八硼烷。

10.一種處理基板的方法，包含：

將十八硼烷注入到所述基板的所述表面中；和

通過反復地加熱和冷卻所述注入區使所述基板的注入區退火。

11.根據權利要求10所述的方法，其中以小于約1keV的能級注入所述十八硼烷。

12.根據權利要求10所述的方法，其中反復地加熱和冷卻所述注入區包含將激光能量導向所述注入區。

13.根據權利要求12所述的方法，其中反復地加熱和冷卻所述注入區包含將所述注入區的溫度維持在低于所述注入區的熔化溫度的溫度下。

14.根據權利要求10所述的方法，其中反復地加熱和冷卻所述注入區包含將所述注入區曝露于電磁輻射的脈沖。

15.根據權利要求14所述的方法，其中各注入區曝露于至少30個脈沖的電磁輻射，并且電磁輻射的各脈沖具有從約1nsec到約10μsec的持續時間。