[發明專利]高純度銅或高純度銅合金濺射靶、該濺射靶的制造方法及高純度銅或高純度銅合金濺射膜

有效

• 申請號: 200980138226.5
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102165093A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 福島篤志;新藤裕一朗;島本晉
• 申請（專利權）人: JX日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其純度為6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自為1ppm以下，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。

2.如權利要求1所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為15000個/g以下。

3.如權利要求1所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在于，粒徑0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夾雜物為15000個/g以下。

4.如權利要求1至3中任一項所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶，其特征在于，所述非金屬夾雜物中碳或碳化物所占的比例為50％以下。

5.一種高純度銅濺射靶的制造方法，其特征在于，使用純度為6N以上、P、S、O、C各成分的含量各自為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下的高純度銅原料，將該原料通過冷坩鍋熔煉法或真空電弧重熔法進行熔煉，使得純度為6N以上、碳含量為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。

6.一種高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使用權利要求5的高純度銅原料，在該原料中加入合金成分，通過冷坩鍋熔煉法或真空電弧重熔法進行熔煉，使得純度為6N以上、碳含量為1ppm以下、粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為30000個/g以下。

7.如權利要求5或6所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使得粒徑0.5微米以上且20微米以下的非金屬夾雜物為15000個/g以下。

8.如權利要求5至7中任一項所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使得粒徑0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夾雜物為15000個/g以下。

9.如權利要求5至8中任一項所述的高純度銅或高純度銅合金濺射靶的制造方法，其特征在于，所述非金屬夾雜物中碳或碳化物所占的比例為50％以下。

10.一種高純度銅或高純度銅合金濺射膜，其特征在于，粒徑0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒數為10個/平方英寸以下。

11.如權利要求10所述的高純度銅或高純度銅合金濺射膜，其特征在于，粒徑0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒數為5個/平方英寸以下。

12.一種半導體器件，具有權利要求10或11所述的高純度銅或高純度銅合金濺射膜作為銅布線。