[發明專利]具有支承襯底和多個發射輻射的半導體器件的光電子模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 200980138169.0
• 申請日: 2009-08-25
• 公開（公告）號: CN102165588A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 貝爾特·布勞內;約爾格·埃里希·佐爾格;卡爾·魏德納;沃爾特·韋格萊特;奧利弗·武茨
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;周濤

1.一種光電子模塊，其具有支承襯底(1)和多個發射輻射的半導體器件(2)，其中

-支承襯底(1)具有結構化的印制導線，用于電接觸發射輻射的半導體器件(2)，

-發射輻射的半導體器件(2)分別具有適于產生電磁輻射的有源層(2a)、第一接觸面(21)和第二接觸面(22)，其中第一接觸面(21)相應設置在發射輻射的半導體器件(2)的背離支承襯底(1)的側上，

-發射輻射的半導體器件(2)設置有電絕緣層(4)，所述電絕緣層相應在發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)的區域中具有凹處，

-在電絕緣層(4)上局部地設置有導電結構(8)，以及

-導電結構中的一個至少將發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)與另外的發射輻射的半導體器件(2)的另外的第一接觸面或者與支承襯底(1)的印制導線導電地連接。

2.根據權利要求1所述的模塊，其中至少在發射輻射的半導體器件(2)之間設置有平面化層(3)。

3.根據權利要求2所述的模塊，其中平面化層(3)包含至少一個轉換元件。

4.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)包含至少一個轉換元件(6)。

5.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中發射輻射的半導體器件(2)共同被設置在支承襯底(1)上的框架(7)圍繞。

6.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中支承襯底(1)是柔性襯底。

7.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中支承襯底(1)的在其上設置有發射輻射的半導體器件(2)的表面并非平面的。

8.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中導電結構(8)通過各向異性的層形成，該各向異性的層設置在電絕緣層(4)上并且該各向異性的層相應地至少在發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)的區域中具有導電區域(8a)。

9.根據上述權利要求1至7之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)通過結構化的電路板形成，并且導電結構(8)借助從電路板中伸出的導電接片形成。

10.根據上述權利要求之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)局部地在相應的發射輻射的半導體器件(2)的側面上圍繞相應的發射輻射的半導體器件(2)來引導，并且發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)相應在電絕緣層(4)上設置為使得發射輻射的半導體器件(2)的與支承襯底(1)背離的表面沒有第一接觸面(21)。

11.一種用于制造光電子模塊的方法，其具有以下方法步驟：

-在支承襯底(1)上設置多個發射輻射的半導體器件(2)，

其中支承襯底(1)具有結構化的印制導線用于電接觸發射輻射的半導體器件(2)，發射輻射的半導體器件(2)分別具有適于產生電磁輻射的有源層(2a)、第一接觸面(21)和第二接觸面(22)，其中第一接觸面(21)相應設置在發射輻射的半導體器件(2)的背離支承襯底(1)的側上，

-將電絕緣層(4)施加到發射輻射的半導體器件(2)上，其中電絕緣層(4)相應在相應的發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)的區域中具有凹處(4a)，

-將導電結構(8)施加到電絕緣層(4)的部分區域上，其中導電結構(8)中的一個至少將發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)與另外的發射輻射的半導體器件(2)的另外的第一接觸面(21)或者與支承襯底(1)的印制導線導電地連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其中導電結構(8)借助印刷方法來施加。

13.根據權利要求11所述的方法，其中導電結構(8)借助氣相淀積來施加。

14.根據權利要求11所述的方法，其中導電結構(8)借助各向異性的層形成，該各向異性的層設置在電絕緣層(4)上并且該各向異性的層相應地至少在發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)的區域中導電地構建。

15.根據權利要求11所述的方法，其中導電結構(8)分別構建為導電接片，其中接片分別借助沖制-楔入處理與發射輻射的半導體器件(2)的第一接觸面(21)導電連接。