[發(fā)明專利]信息記錄介質(zhì)、記錄方法和再生方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980138143.6
• 申請(qǐng)日: 2009-09-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102165523A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋宜久;植田宏;伊藤基志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B7/0045
• 分類號(hào): G11B7/0045;G11B7/007;G11B7/125;G11B7/24
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種信息記錄介質(zhì)，其利用從一個(gè)面入射的激光在多個(gè)記錄層中的至少1層上記錄數(shù)據(jù)，所述信息記錄介質(zhì)的特征在于，

所述多個(gè)記錄層包含第1記錄層、和在從所述第1記錄層到所述激光入射的入射面的方向上，按順序配置的第2～第N記錄層，其中，N為3以上的整數(shù)，

所述多個(gè)記錄層分別具備：

第1學(xué)習(xí)區(qū)域、和比所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域更位于外周側(cè)的第2學(xué)習(xí)區(qū)域，

在所述第1～第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域不同的半徑位置，

在所述第1～第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域相同的半徑位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，

在所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度，是在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，

對(duì)所述第1～第N記錄層分別分配了物理地址，

所述第1記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，所述第2記錄層的物理地址從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)按照升序被分配，所述第3記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，

在所述第1記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第2記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第3記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用。

4.一種記錄方法，是在權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法，

其包含：

在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域的至少一方上，進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的步驟；和

根據(jù)所述記錄學(xué)習(xí)的結(jié)果，在所述信息記錄介質(zhì)上記錄信息的步驟。

5.一種再生方法，是從權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中再生信息的再生方法，

所述信息記錄介質(zhì)的所述1～第N記錄層中的至少1層具有記錄有與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的控制區(qū)域，

所述再生方法包含從所述控制區(qū)域中再生與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的步驟。

6.一種信息記錄方法，是在權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法，

所述多個(gè)記錄層分別具備用于進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域，通過(guò)所述記錄學(xué)習(xí)來(lái)求出最合適的記錄條件，

所述記錄方法，在第k記錄層上最初進(jìn)行記錄的時(shí)刻，只在所述第k記錄層上進(jìn)行所述記錄學(xué)習(xí)，其中，k是1以上、N以下的整數(shù)。