[發明專利]溫度傳感器結構有效
| 申請號: | 200980138007.7 | 申請日: | 2009-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN102165296A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 沙莫斯·胡舍爾 | 申請(專利權)人: | 劍橋溫度概念有限公司 |
| 主分類號: | G01K1/16 | 分類號: | G01K1/16;G01K7/42;G01K13/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度傳感器 結構 | ||
1.一種用于測量溫度的裝置,該裝置包括:
第一溫度傳感器和第二溫度傳感器,該第一溫度傳感器和第二溫度傳感器被圍繞在具有一種或更多種材料成分的第一材料中;
接觸表面,該接觸表面用于接觸待測量溫度的機體,該接觸表面的至少一部分與橫向方向相平行;其中所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器布置在距所述接觸表面的不同深度處,并且自所述接觸表面通過所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器的穿越所述裝置的凈導熱率大于所述裝置的通過所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器的橫向凈導熱率。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一材料具有各向異性的導熱率。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述第一材料的導熱率的各向異性比是至少2。
4.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述第一材料的最大導熱率是至少0.5W/mK。
5.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,所述裝置還包括第二材料,該第二材料至少部分地圍繞所述第一材料并且在橫向方向上具有比所述第一材料更低的導熱率。
6.根據權利要求4或5所述的裝置,其中,所述第一材料在橫向方向上具有比所述第二材料大到至少4倍的導熱率。
7.一種用于測量溫度的裝置,該裝置包括:
具有一種或更多種材料成分的第一材料;
嵌入所述第一材料中的第一溫度傳感器和第二溫度傳感器;
第二材料,該第二材料至少部分地圍繞所述第一材料并且具有比所述第一材料更低的導熱率;以及
接觸表面,該接觸表面用于接觸待測量溫度的機體,所述接觸表面的至少一部分與橫向方向平行;其中所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器被布置在距所述接觸表面的不同深度處并且所述第一材料和第二材料被布置成使得從所述接觸表面通過所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器的穿越所述裝置的凈導熱率大于所述裝置的通過所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器的橫向凈導熱率。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的裝置,其中,所述第二材料完全地圍繞所述第一材料。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中,所述第二材料在所述第一材料的橫向末端上比在所述接觸表面和該接觸表面的相對表面上厚。
10.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述第一材料是大致盤形的并且所述盤的平面與所述橫向方向大致平行。
11.根據從屬于權利要求5至9中任一項的權利要求10中所述的裝置,其中,所述第二材料繞所述盤形的第一材料形成環形的環體,所述環的平面與所述盤的平面大致重合。
12.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,每一深度均是沿著與所述接觸表面大致垂直的軸線從所述接觸表面到相應的溫度傳感器的距離。
13.根據權利要求1至11中任一項所述的裝置,其中,每一深度均是由從所述接觸表面到所述相應的溫度傳感器的凈導熱率所限定的熱深度。
14.根據權利要求13所述的裝置,其中,所述第一溫度傳感器和第二溫度傳感器位于沿著與所述接觸表面大致垂直的軸線距所述接觸表面的相同距離處。
15.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述第一材料的表面提供了所述接觸表面的至少一部分。
16.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述第一材料至少包括具有不同導熱率的第一材料成分和第二材料成分,所述第一溫度傳感器被嵌入在所述第一材料成分中,并且所述第二溫度傳感器被嵌入在所述第二材料成分中。
17.根據權利要求16所述的裝置,其中,所述接觸表面的至少一部分是由所述第一材料成分和第二材料成分提供的。
18.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,穿越所述裝置的凈導熱率在橫向方向上是最低的。
19.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述第一材料是導熱聚合物。
20.根據上述權利要求中任一項所述的裝置,其中,所述接觸表面支撐具有的導熱率比所述第一材料更高的薄層。
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