[發明專利]場效應晶體管的制造方法和制造裝置

無效

• 申請號: 200980137929.6
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN102165570A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 倉田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彥;淺利伸;橋本征典;佐藤重光;菊池正志
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/203;H01L29/786
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營;栗濤

1.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

采用濺射法在基材上形成活性層，其中，所述活性層具有In-Ga-Zn-O系成分，

采用濺射法在所述活性層上形成阻擋層，該阻擋層用來保護所述活性層不被蝕刻劑侵蝕，

以所述阻擋層作為掩膜對所述活性層進行蝕刻加工。

2.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

形成所述阻擋層的工序包括：在活性層成膜空腔內形成所述活性層后再連續形成所述阻擋層的工序。

3.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

形成所述阻擋層的工序包括以下工序：

采用濺射法在所述活性層上形成由氧化硅膜或氮化硅膜構成的第一絕緣膜的工序；

采用濺射法在所述第一絕緣膜上形成由金屬氧化膜構成的第二絕緣膜的工序。

4.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

形成所述阻擋層的工序包括以下工序：

采用濺射法在所述活性層上形成由金屬氧化膜構成的第一絕緣膜的工序；

采用濺射法在所述第一絕緣膜上形成由氧化硅膜或者氮化硅膜構成的第二絕緣膜的工序。

5.如權利要求3或4所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

在形成所述阻擋層的工序中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜在同一空腔內連續形成。

6.如權利要求5所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

在形成所述阻擋層的工序中，在活性層成膜空腔內形成所述活性層后再連續形成所述阻擋層。

7.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

所述基材包括柵電極，在形成所述活性層前形成覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜。

8.如權利要求7所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

在形成所述柵極絕緣膜的工序中，采用濺射法形成所述柵極絕緣膜。

9.如權利要求7所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

形成所述柵極絕緣膜的工序包括以下工序：

在所述柵電極上形成由金屬氧化膜構成的第一柵極絕緣膜的工序；

在所述第一柵極絕緣膜上形成由氧化硅膜或氮化硅膜構成的第二柵極絕緣膜的工序。

10.如權利要求7所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

形成所述柵極絕緣膜的工序包括以下工序：

在所述柵電極上形成由氧化硅膜或氮化硅膜構成的第一柵極絕緣膜的工序；

在所述第一柵極絕緣膜上形成由金屬氧化膜構成的第二柵極絕緣膜的工序。

11.如權利要求1所述的場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

還形成覆蓋所述活性層的保護膜，并且形成接觸該活性層的源極和漏極。

12.一種場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，

由所述制造裝置在基材上分別形成活性層和在該活性層上形成阻擋層，所述阻擋層用來保護所述活性層不被蝕刻劑侵蝕，

所述制造裝置具有第一成膜室以及第二成膜室，

所述第一成膜室包括用來在所述基材上形成所述活性層的第一濺射陰極，所述活性層具有In-Ga-Zn-O系成分，

所述第二成膜室包括用來在所述基材上形成所述阻擋層的第二濺射陰極。

13.根據權利要求12所述的場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，所述第一成膜室以及所述第二成膜室為共用的成膜室。

14.根據權利要求12所述的場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，所述第二濺射陰極包含由氧化硅或氮化硅構成的第一靶材以及由金屬氧化物構成的第二靶材。

15.根據權利要求12所述的場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，還具有在所述基材上形成柵極絕緣膜的第三成膜室。

16.根據權利要求12所述的場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，還具有包含在所述基材上形成柵極絕緣膜的第三濺射陰極的第三成膜室。

17.根據權利要求16所述的場效應晶體管的制造裝置，其特征在于，所述第三濺射陰極包含由金屬氧化物構成的第三靶材和由氧化硅或氮化硅構成的第四靶材。