[發明專利]用于制造集成流體芯片的方法和系統

有效

• 申請號: 200980137623.0
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN102165076A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 大衛·S·科恩
• 申請（專利權）人: 弗盧丁公司
• 主分類號: C12Q1/68
• 分類號: C12Q1/68;B01L3/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉曉峰

1.一種用于制造一個或更多的集成流體芯片的方法，所述方法包括步驟：

提供第一襯底，所述第一襯底在其上形成有一個或更多的模制特征；

在所述第一襯底上形成第一彈性層，其中所述第一彈性層由模制表面和后表面限定；

連接所述第一彈性層的所述后表面至支撐襯底；

提供第二襯底，所述第二襯底在其上形成有一個或更多的第二模制特征；

在所述玻璃襯底上形成第二彈性層，其中所述第二彈性層由模制表面和后表面限定；

對準所述玻璃襯底與所述支撐襯底；和

結合所述第一彈性層的所述模制表面至所述第二彈性層的所述后表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述連接所述第一彈性層的所述后表面的步驟與形成所述第一彈性層的步驟同時進行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二襯底特征在于，表面積大于50平方英寸。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二襯底包括玻璃構件。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述玻璃構件特征在于在8mm的窗口上具有60nm的波度。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述玻璃構件特征在于在25mm的窗口上具有330nm的波度。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述玻璃構件特征在于厚度小于1mm。

8.根據權利要求4所述的方法，其中所述玻璃構件沒有尺寸大于100μm的雜質。

9.根據權利要求4所述的方法，其中所述玻璃構件包括矩形板，所述矩形板特征在于尺寸大于或等于370mm×470mm。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述支撐襯底包括玻璃構件。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述支撐襯底的熱膨脹系數和所述第二襯底的熱膨脹系數在彼此的300％內。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括：在結合所述第一彈性層的模制表面至所述第二彈性層的所述后表面的步驟之前，移除所述第一襯底與所述第一彈性層的模制層的接觸。

13.根據權利要求1所述的方法，其中對準玻璃襯底與所述支撐襯底的步驟包括：將所述玻璃襯底定位于所述支撐襯底的上方。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述玻璃襯底特征在于，在對準過程中，朝向所述支撐襯底彎曲所述第二襯底的中心部分。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述彎曲所述中心部分的步驟的特征在于，從連接所述玻璃襯底的相對邊緣的線位移為大于50μm且小于1cm。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或更多的集成流體芯片包括多個集成流體芯片。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述多個集成流體芯片包括六個或更多的集成流體芯片。

18.根據權利要求1所述的方法，其中所述結合所述第一彈性層的模制表面至所述第二彈性層的后表面的步驟包括：等離子體增強鍵合工藝。

19.根據權利要求1所述的方法，其中形成第一彈性層的步驟包括：擠壓過程或牽引桿涂覆過程中的至少一種。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一彈性層特征在于，所述一個或更多的模制特征的一部分上的第一厚度與沒有所述一個或更多的模制特征的所述第一襯底的一部分上的第二厚度之間的差小于2μm。

21.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一彈性層特征在于，所述一個或更多的模制特征的一部分上的第一厚度與沒有所述一個或更多的模制特征的所述第一襯底的一部分上的第二厚度之間的差小于20％。

22.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一彈性層特征在于，所述一個或更多的模制特征的一部分上的第一厚度與沒有所述一個或更多的模制特征的第一襯底的一部分上的第二厚度之間的差小于2μm。

23.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一彈性層和形成所述第二彈性層的步驟包括：擠壓過程或牽引桿涂覆過程中的至少一種。