[發明專利]具有至少兩個操作狀態的微光刻投射曝光設備

有效

• 申請號: 200980137510.0
• 申請日: 2009-08-22
• 公開（公告）號: CN102171614A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 漢斯-于爾根.曼;溫弗里德.凱澤
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.用于制造微電子元件的、具有至少兩個操作狀態的微光刻投射曝光設備，包括物平面(5、805)上的反射掩模，其中

在第一操作狀態中，所述掩模的第一部分區域(604a、704a)由第一輻射照明，所述第一輻射在所述第一部分區域(604a、704a)的每個點處具有所分配的具有第一質心方向矢量的第一質心方向，

以及在第二操作狀態中，所述掩模的第二部分區域(604b、704b)由第二輻射照明，所述第二輻射在所述第二部分區域(604b、704b)的每個點處具有所分配的具有第二質心方向矢量的第二質心方向，并且其中所述第一和所述第二部分區域(604a、704a、604b、704b)具有公共交疊區域(641、741)，

其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的至少一個部分區域的每個點處，歸一化的第一質心方向矢量、歸一化的第二質心方向矢量以及與所述掩模垂直的歸一化矢量的標量三重積小于0.05。

2.如權利要求1所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的至少一個部分區域的每個點處，所述歸一化的第一質心方向矢量、所述歸一化的第二質心方向矢量以及與所述掩模垂直的歸一化矢量的標量三重積小于0.03。

3.如權利要求1所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的至少一個部分區域的每個點處，所述歸一化的第一質心方向矢量、所述歸一化的第二質心方向矢量以及與所述掩模垂直的歸一化矢量的標量三重積小于0.01。

4.如權利要求1-3中的任一項所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的至少一個部分區域的每個點處，所述第一質心方向與垂直于所述掩模的歸一化矢量之間的角度是3°或更大。

5.如權利要求1-4中的任一項所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

所述交疊區域(641、741)小于所述第一部分區域(604a、704a)并且小于所述第二部分區域(604b、704b)。

6.如權利要求1-5中的任一項所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

所述反射掩模在所述第一操作狀態中的取向與所述掩模在所述第二操作狀態中的取向相差關于與所述物平面(5)垂直的軸的180°的旋轉。

7.用于制造微電子元件的、具有至少兩個操作狀態的微光刻投射曝光設備，包括物平面(5)上的反射掩模，其特征在于

所述反射掩模在第一操作狀態中的取向與所述掩模在第二操作狀態中的取向相差關于與所述物平面(5)垂直的軸的180°的旋轉。

8.如權利要求1-7中的任一項所述的微光刻投射曝光設備，包括用于將物場成像到像場上的投射光學單元，其特征在于

所述像場具有13mm的最大尺度。

9.如權利要求1-8中的任一項所述的微光刻投射曝光設備，其特征在于

可以利用具有5nm和15nm之間的波長的輻射操作所述微光刻投射曝光設備。

10.用于通過光刻制造微電子元件的方法，其中物平面中的反射結構承載掩模被成像到像平面中的基底上，

其中通過第一輻射在第一曝光的背景中曝光第一部分區域(604a、704a)，所述第一輻射在所述第一部分區域的每個點處具有第一質心方向，所述第一質心方向具有第一質心方向矢量，以及

通過第二輻射曝光在第二曝光的背景中曝光所述掩模的第二部分區域(604b、704b)，所述第二輻射在所述第二部分區域的每個點處具有第二質心方向，所述第二質心方向具有第二質心矢量，

其中所述第一和所述第二部分區域具有公共交疊區域(641、741)，

其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的每個點處，歸一化的第一質心方向矢量、歸一化的第二質心方向矢量以及與所述掩模垂直的歸一化矢量的標量三重積小于0.05。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于

在所述交疊區域(641、741)的每個點處，所述歸一化的第一質心方向矢量、所述歸一化的第二質心方向矢量以及與所述掩模垂直的歸一化矢量的標量三重積小于0.03。