[發(fā)明專(zhuān)利]成膜方法、成膜裝置、壓電膜、壓電器件和液體排出裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980136836.1
• 申請(qǐng)日: 2009-09-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102159748A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤井隆滿(mǎn);直野崇幸;新川高見(jiàn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16;H01L21/31;H01L21/316;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/187
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種成膜方法，所述成膜方法在將基板和靶放置成相互面對(duì)的情況下，使用等離子體通過(guò)氣相沉積技術(shù)在所述基板上形成含有所述靶的構(gòu)成元素的膜，所述方法包括：

在距離所述靶的朝向所述基板的表面為2-3cm的地方，將在所述基板的面內(nèi)方向上的等離子體空間中的等離子體電位Vs(V)的變動(dòng)控制在±10V以?xún)?nèi)的情況下，進(jìn)行成膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其中在距離所述靶的朝向所述基板的表面為2-3cm的地方，將在所述基板的所述面內(nèi)方向上的氣體壓力的變動(dòng)控制在±1.5％內(nèi)的情況下，進(jìn)行成膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其中所述氣相沉積技術(shù)包括濺射。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的成膜方法，其中所述膜包括壓電膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜方法，其中所述膜包含一種或兩種以上由通式(P)表示的鈣鈦礦型氧化物作為主要組分：

ABO₃???????(P)，其中A表示A位元素并且包含至少一種選自由Pb、Ba、Sr、Bi、Li、Na、Ca、Cd、Mg、K和鑭系元素組成的組中的元素；B表示B位元素并且包含至少一種選自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Mg、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、Ni、Hf和Al組成的組中的元素；以及O表示氧，并且其中所述A位元素、所述B位元素和所述氧元素的摩爾比為作為標(biāo)準(zhǔn)的1∶1∶3；然而，所述摩爾比可以在獲得鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的范圍內(nèi)不同于所述標(biāo)準(zhǔn)摩爾比。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜方法，其中所述膜包含一種或兩種以上由通式(P)表示的鈣鈦礦型氧化物，并且所述A位元素包含至少一種選自由Pb、Bi和Ba組成的組中的金屬元素。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的成膜方法，其中所述膜包含含Zn化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜方法，其中所述膜包含由通式(S)表示的含Zn氧化物：

In_xM_yZn_zO_{(x+3y/2+3z/2)}??????(S)，其中M表示至少一種選自由In、Fe、Ga和Al組成的組中的元素，并且x、y和z全部都是大于0的實(shí)數(shù)。

9.一種成膜裝置，所述成膜裝置用于使用等離子體通過(guò)氣相沉積在基板上形成含有靶的構(gòu)成元素的膜，所述成膜裝置包括：

真空容器，在所述真空容器中包括安置成相互面對(duì)的基板支架和靶支架；

等離子體產(chǎn)生裝置，所述等離子體產(chǎn)生裝置用于在所述真空容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體；和

氣體引入裝置，所述氣體引入裝置用于將要被等離子體化的氣體引入到所述真空容器中，

其中在距離所述靶的朝向所述基板的表面為2-3cm的地方，將在所述基板的面內(nèi)方向上的等離子體空間中的等離子體電位Vs(V)的變動(dòng)控制在±10V內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置，其中在距離所述靶的朝向所述基板的表面為2-3cm的地方，將在所述基板的所述面內(nèi)方向上的氣體壓力的變動(dòng)控制在±1.5％內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的成膜裝置，其中所述氣體引入裝置包括：

環(huán)形氣體噴射構(gòu)件，所述環(huán)形氣體噴射構(gòu)件安置在所述真空容器中的所述基板支架和所述靶支架之間，所述氣體噴射構(gòu)件適于接收引入到其中的所述氣體，所述氣體噴射構(gòu)件包括用于將所述氣體噴射到所述真空容器中的多個(gè)氣體噴射口；和

氣體進(jìn)料構(gòu)件，所述氣體進(jìn)料構(gòu)件連接到所述氣體噴射構(gòu)件，所述氣體進(jìn)料構(gòu)件將所述氣體從所述真空容器的外部進(jìn)料到所述氣體噴射構(gòu)件中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成膜裝置，其中

所述氣體進(jìn)料構(gòu)件包括以相等間隔連接到所述氣體噴射構(gòu)件的多個(gè)氣體進(jìn)料構(gòu)件，并且

所述多個(gè)氣體噴射口以相等間隔設(shè)置于所述氣體噴射構(gòu)件中。