[發(fā)明專(zhuān)利]用于低k電介質(zhì)的阻擋物漿料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980136735.4
• 申請(qǐng)日: 2009-09-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102159662A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李守田;史蒂文·格倫比恩;杰弗里·戴薩德;潘卡杰·辛格
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 卡伯特微電子公司
• 主分類(lèi)號(hào): C09K3/14
• 分類(lèi)號(hào): C09K3/14;H01L21/304
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 宋莉

1.一種化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其包含：

(a)二氧化硅，

(b)陽(yáng)離子化合物，其選自：四烷基銨鹽、四烷基鏻鹽、吡啶鎓鹽、咪唑鎓鹽、及胺取代的硅烷，

(c)具有7個(gè)或更多個(gè)碳原子的羧酸，

(d)氧化金屬的氧化劑，及

(e)水。

2.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含0.1重量％～5重量％的二氧化硅。

3.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該二氧化硅具有20nm～100nm的平均粒徑。

4.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含胺取代的硅烷。

5.權(quán)利要求4的拋光組合物，其中該胺取代的硅烷選自：氨基丙基三烷氧基硅烷、雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N，N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基)-2-氨基乙基氨基丙基三烷氧基硅烷、(2-N-苯甲基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、三烷氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三甲基氯化銨、N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)苯甲基-N，N，N-三甲基氯化銨、雙(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、雙(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)-乙二胺及雙(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)胺。

6.權(quán)利要求4的拋光組合物，其中該拋光組合物包含50ppm～500ppm的所述胺取代的硅烷。

7.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含四烷基銨鹽。

8.權(quán)利要求7的拋光組合物，其中該拋光組合物包含50ppm～1500ppm的所述四烷基銨鹽。

9.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含四烷基鏻鹽。

10.權(quán)利要求9的拋光組合物，其中該拋光組合物包含10ppm～1500ppm的所述四烷基鏻鹽。

11.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含吡啶鎓鹽。

12.權(quán)利要求11的拋光組合物，其中該拋光組合物包含10ppm～1000ppm的所述吡啶鎓鹽。

13.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物包含咪唑鎓鹽。

14.權(quán)利要求13的拋光組合物，其中該拋光組合物包含10ppm～1000ppm的所述咪唑鎓鹽。

15.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該羧酸包含環(huán)狀的含碳取代基。

16.權(quán)利要求15的拋光組合物，其中該羧酸選自：2-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲酸、4-羥基苯甲酸、2，3-二羥基苯甲酸、2，4-二羥基苯甲酸、2，5-二羥基苯甲酸、2，6-二羥基苯甲酸及3，5-二羥基苯甲酸。

17.權(quán)利要求16的拋光組合物，其中該羧酸為2-羥基苯甲酸。

18.權(quán)利要求16的拋光組合物，其中該羧酸為2，6-二羥基苯甲酸。

19.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該羧酸選自：苯甲酸、1，2-苯二甲酸、1，2，4-苯三甲酸、苯丙二酸、環(huán)己烷羧酸、反式-環(huán)己烷-1，2-二羧酸及苯丙二酸。

20.權(quán)利要求19的拋光組合物，其中該拋光組合物包含10ppm～2000ppm的所述羧酸。

21.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該氧化劑為過(guò)氧化氫。

22.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物進(jìn)一步包含腐蝕抑制劑。

23.權(quán)利要求22的拋光組合物，其中該腐蝕抑制劑包含三唑或四唑基團(tuán)。

24.權(quán)利要求22的拋光組合物，其中該腐蝕抑制劑為苯并三唑。

25.權(quán)利要求22的拋光組合物，其中該拋光組合物包含10ppm～1000ppm的所述腐蝕抑制劑。

26.權(quán)利要求1的拋光組合物，其中該拋光組合物具有3～5的pH值。