[發(fā)明專利]反射光學(xué)元件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980136718.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-08-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102159997A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吉塞拉·馮布蘭肯哈根 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | G03F7/20 | 分類號(hào)： | G03F7/20;G21K1/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邱軍 |
| 地址： | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 光學(xué) 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種工作波長(zhǎng)在軟X射線和極紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)、尤其用于EUV光刻設(shè)備的反射光學(xué)元件的制造方法，該反射光學(xué)元件在基板上具有由至少兩種交替材料構(gòu)成且向所述基板施加應(yīng)力的多層系統(tǒng)，所述至少兩種交替材料在所述工作波長(zhǎng)具有不同的折射率實(shí)部，并且其中所述多層系統(tǒng)與所述基板之間布置有一材料層，該材料層的厚度設(shè)定為抵消所述多層系統(tǒng)的應(yīng)力，該方法的特征在于：能量為至少40eV的層形成粒子用于沉積抵消應(yīng)力的所述層。
2.一種工作波長(zhǎng)在軟X射線和極紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)、尤其用于EUV光刻設(shè)備的反射光學(xué)元件的制造方法，該反射光學(xué)元件在基板上具有第一多層系統(tǒng)，所述第一多層系統(tǒng)由至少兩種交替材料構(gòu)成且向所述基板施加層應(yīng)力，所述至少兩種交替材料在所述工作波長(zhǎng)具有不同的折射率實(shí)部，而且所述反射光學(xué)元件在基板上具有第二多層系統(tǒng)，所述第二多層系統(tǒng)由至少兩種交替材料構(gòu)成且向所述基板施加相反的層應(yīng)力，而且所述第二多層系統(tǒng)布置在所述基板與所述第一多層系統(tǒng)之間，其中構(gòu)成所述第二多層系統(tǒng)的所述至少兩種交替材料在所述工作波長(zhǎng)具有不同的折射率實(shí)部，該方法的特征在于：能量為至少40eV的層形成粒子用于沉積所述第二多層系統(tǒng)的各層。
3.一種工作波長(zhǎng)在軟X射線和極紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)、尤其用于EUV光刻設(shè)備的反射光學(xué)元件的制造方法，該反射光學(xué)元件在基板上具有第一多層系統(tǒng)，所述第一多層系統(tǒng)由至少兩種交替材料構(gòu)成且向所述基板施加層應(yīng)力，所述至少兩種交替材料在所述工作波長(zhǎng)具有不同的折射率實(shí)部，而且所述反射光學(xué)元件在所述基板上具有第二多層系統(tǒng)，所述第二多層系統(tǒng)由至少兩種交替材料構(gòu)成且向所述基板施加相反的層應(yīng)力，而且所述第二多層系統(tǒng)布置在所述基板與所述第一多層系統(tǒng)之間，其中構(gòu)成所述第二多層系統(tǒng)的所述至少兩種交替材料在所述工作波長(zhǎng)具有不同的折射率實(shí)部，該方法的特征在于：中間層沉積在所述第一多層系統(tǒng)與所述第二多層系統(tǒng)之間，其中能量為至少40eV的粒子用于沉積所述中間層或用于光滑所述中間層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：采用能量至少為90eV的所述層形成粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述第二多層系統(tǒng)的各層、所述應(yīng)力抵消層或所述中間層利用磁控濺射或離子束輔助濺射被沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述第二多層系統(tǒng)的各層、所述應(yīng)力抵消層或所述中間層利用脈沖激光涂敷被沉積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：采用兩束激光，該兩束激光被布置為它們的等離子體瓣彼此交叉。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述應(yīng)力抵消層、所述中間層或多層系統(tǒng)的層在被施加之后利用離子束被后處理。
9.一種反射光學(xué)元件，根據(jù)權(quán)利要求1、4到8中任一項(xiàng)所述的方法制造。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：多層系統(tǒng)(4)與所述基板(2)之間的層(5)為非晶。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：多層系統(tǒng)(4)與所述基板(2)之間的層(5)具有小于0.20nm的表面粗糙度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9到11中任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：所述層(5)由非晶鉬構(gòu)成。
13.一種反射光學(xué)元件，根據(jù)權(quán)利要求3到8中任一項(xiàng)所述的方法制造。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：所述中間層(5)由硅構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：所述中間層(5)的厚度范圍為從3nm到20nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求13到15中任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：所述中間層(5)具有小于0.20nm的表面粗糙度。
17.一種反射光學(xué)元件，根據(jù)權(quán)利要求2、4到8中任一項(xiàng)所述的方法制造。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的反射光學(xué)元件，其特征在于：在所述第二多層系統(tǒng)(6)中，在所述工作波長(zhǎng)具有較低折射率實(shí)部的材料的層(61)為非晶。
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