[發明專利]基板處理裝置和基板載置臺

有效

• 申請號: 200980136399.3
• 申請日: 2009-09-16
• 公開（公告）號: CN102160166A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 山下潤
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

能夠保持為真空并收容基板的處理容器；

在所述處理容器內載置基板的基板載置臺；

向所述處理容器內供給處理氣體的處理氣體供給機構；和

在所述處理容器內生成處理氣體的等離子體的等離子體生成機構，其中，

所述基板載置臺包括：

由AlN構成的載置臺主體；

設置在所述載置臺主體內、用于對被載置的基板進行加熱的發熱體；

覆蓋所述載置臺主體的表面的石英制的第一蓋體；

以相對于所述基板載置臺的上表面自如地突出/沒入的方式設置、使基板升降的多個升降銷；

設置在所述載置臺主體、被插通所述升降銷的多個插通孔；

在所述第一蓋體的分別與所述多個插通孔對應的位置設置的多個開口；和

作為與所述第一蓋體分體的部件且分別設置于所述插通孔的多個石英制的第二蓋體，

所述各第二蓋體，以使在對應的插通孔的上端附近所述載置臺主體的由AlN構成的表面不暴露在生成于所述處理容器內的等離子體中的方式，將與該第二蓋體對應的所述插通孔的內周面的至少一部分和與該第二蓋體對應的所述開口的內表面的至少一部分覆蓋。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述各第二蓋體包括：覆蓋所述各插通孔的內周面的至少上部的筒狀部；和從所述筒狀部的上端部向外側擴展的凸緣部，

所述凸緣部配置在所述開口內。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述各插通孔在該各插通孔的上部具有直徑較大的大徑孔部，所述筒狀部嵌入于所述大徑孔部。

4.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述筒狀部覆蓋所述插通孔的整個內周面。

5.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

在所述各開口的內表面設置有臺階差，由此所述開口具有上側的小徑部和下側的大徑部，并且在所述第一蓋體設置有向所述開口的大徑部的上方突出的檐部，

所述第二蓋體的凸緣部，在所述檐部的下方伸入到所述開口的大徑部內。

6.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

在所述各開口的內表面設置有臺階差，由此所述開口具有上側的大徑部和下側的小徑部，

所述第二蓋體的凸緣部插入到所述開口的大徑部內。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述等離子體生成機構包括：具有多個槽縫的平面天線；和通過該平面天線向所述處理容器內導入微波的微波導入單元，利用被導入的微波使處理氣體等離子體化。

8.如權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于：

還具備對所述基板載置臺施加用于將等離子體中的離子引入的高頻偏壓的高頻偏壓施加單元。

9.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述基板載置臺包括：

支承所述升降銷的升降臂；

通過升降臂使升降銷升降的致動器；和

將所述升降銷安裝于所述升降臂的升降銷安裝部，

所述升降銷安裝部包括：在所述升降臂的上表面的與所述升降銷對應的位置設置的凹陷；將所述升降銷螺紋固定的底座部件；和通過夾緊所述底座部件而將所述底座部件固定在所述升降臂的夾緊部件，

所述底座部件包括從該底座部件的底面向下方突出并且游嵌于所述凹陷的突出部。

10.一種基板處理裝置，其特征在于：

所述第一蓋體具有用于載置基板的載置區域，

所述載置臺主體和所述第一蓋體以下述中的至少一種尺寸關系成立的方式構成：

(i)所述基板載置區域中的所述第一蓋體的厚度，大于比所述基板載置區域更靠外側的外側區域中的所述第一蓋體的厚度，和

(ii)所述基板載置區域中的所述第一蓋體的下表面與所述基板載置臺主體的上表面之間的距離，小于比所述基板載置區域更靠外側的外側區域中的所述蓋體的下表面與所述基板載置臺主體的上表面之間的距離。