[發明專利]波長受控的半導體激光器設備

有效

• 申請號: 200980136299.0
• 申請日: 2009-09-16
• 公開（公告）號: CN102160246A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: H·M·門希;P·G·格萊赫;M·卡派;A·M·范德利
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/06;H01S5/068;G01P3/36
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 謝建云;劉鵬

1.?一種半導體激光器設備（1），包含

激光二極管設備（3），其具有

半導體激光二極管，

集成光電二極管（200），以及

用于電連接所述半導體激光二極管和所述集成光電二極管（200）的電接觸，所述半導體激光器設備還包含

用于通過穩定或設定該激光二極管設備（3）的溫度來設定或穩定激光波長的反饋控制電路（10），所述反饋控制電路（10）被設置以響應于測量的溫度依存參數生成加熱電壓或電流，

所述加熱電壓或電流應用到所述激光二極管設備（3）的電接觸，所述電接觸至少其一也電連接所述半導體激光二極管或所述集成光電二極管（200），使得加熱電流流過該激光二極管設備（3）并且加熱所述半導體激光二極管。

2.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，所述激光二極管設備（3）包含具有集成光電二極管（200）的垂直腔面發射激光器（300）。

3.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，所述集成光電二極管（200）在反向偏置工作，并且用于穩定或設定該激光二極管設備的溫度的所述反饋控制電路被設置以設定該集成光電二極管（200）兩端的電壓，該集成光電二極管藉此被由所接收的光感應形成的光電流加熱。

4.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，用于電連接該半導體激光二極管和該集成光電二極管的所述電接觸至少其一具有連接到所述反饋控制電路的兩個端點，其中所述加熱電流在所述兩個端點之間流動。

5.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該加熱電流或電壓在位于公共表面上的兩個橫向分離電接觸之間饋送，所述電接觸至少其一接觸所述半導體激光二極管或所述集成光電二極管。

6.?根據權利要求5的半導體激光器設備，其特征在于，所述分離電接觸由不同材料制成。

7.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該反饋控制電路的輸入端連接到所述半導體激光二極管的電接觸，所述反饋控制電路測量該激光二極管的正向電壓。

8.?根據權利要求7的半導體激光器設備，其特征在于，如果激光二極管溫度低于與預定波長對應的溫度，只要在固定工作電流時該工作電壓低于預定值，則所述半導體激光二極管被該反饋控制電路加熱。

9.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該反饋控制電路（10）測量與由所述加熱電流或電壓加熱的部分的電阻對應的參數。

10.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該反饋控制電路的輸入端連接到所述集成光電二極管的電接觸，并且該集成光電二極管測量的光輸出作為輸入參數被饋送到該反饋控制電路，該反饋控制電路依據該光輸出設定該加熱電流或電壓。

11.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該半導體激光二極管形成為襯底（100）上的臺面結構，該臺面結構至少部分地被所述襯底（100）中的槽（600）圍繞。

12.?根據權利要求1的半導體激光器設備，其特征在于，該半導體激光二極管形成為襯底（100）上的臺面結構，其中部分氧化的層布置在所述臺面和所述襯底（100）之間。

13.?具有半導體激光器設備，特別是具有根據權利要求1的半導體激光器設備的車輛速度或距離傳感器，所述半導體激光器設備包含

半導體激光二極管，

自混合信號解碼電路，其用于根據激光強度的自混合振蕩測量與距離或速度有關的參數，以及

反饋控制電路，其具有用于檢測溫度相關參數的輸入端并且控制加熱所述半導體激光二極管的加熱電流或加熱電壓，所述反饋環路電路藉此將所述半導體激光二極管的溫度穩定在至少20℃的值。

14.?根據權利要求13的車輛速度或距離傳感器，其特征在于，所述反饋控制電路將所述半導體激光二極管的溫度穩定在不高于100℃的值。