[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980136123.5
• 申請(qǐng)日: 2009-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN102160169A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福岡耕平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;H01L27/04;H03K19/094
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其中包括：

電路主體，其需要數(shù)據(jù)保持狀態(tài)；

數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路，其測(cè)量所述電路主體的數(shù)據(jù)保持狀態(tài)；

漏電流評(píng)價(jià)電路，其測(cè)量所述電路主體的漏電流；

電壓控制信號(hào)生成電路，其進(jìn)行所述電路主體的電壓供給電路的控制；和

存儲(chǔ)電路，其存儲(chǔ)所述漏電流評(píng)價(jià)電路與所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路的測(cè)量結(jié)果，

所述電壓控制信號(hào)生成電路基于所述存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，對(duì)所述電壓供給電路設(shè)定使所述電路主體的漏電流為最小的電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電壓控制信號(hào)生成電路對(duì)所述電壓供給電路設(shè)定的電壓值為源極-漏極間電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電壓控制信號(hào)生成電路對(duì)所述電壓供給電路設(shè)定的電壓值為源極-基板間電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電路主體、所述漏電流評(píng)價(jià)電路、所述存儲(chǔ)電路、所述電壓控制信號(hào)生成電路、所述電壓供給電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)，將數(shù)據(jù)保持特性從所述不同的區(qū)域存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)電路中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電路主體、所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路、所述存儲(chǔ)電路、所述電壓控制信號(hào)生成電路、所述電壓供給電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

所述漏電流評(píng)價(jià)電路配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)，將漏電流特性從所述不同的區(qū)域存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)電路中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電路主體、所述存儲(chǔ)電路、所述電壓控制信號(hào)生成電路、所述電壓供給電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路及所述漏電流評(píng)價(jià)電路配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)，將數(shù)據(jù)保持特性與漏電流特性從所述不同的區(qū)域存儲(chǔ)到所述存儲(chǔ)電路中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電路主體、所述漏電流評(píng)價(jià)電路、所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路、所述存儲(chǔ)電路、所述電壓控制信號(hào)生成電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

所述電壓供給電路配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

該半導(dǎo)體集成電路裝置具備多個(gè)所述電壓供給電路，

所述電路主體、所述漏電流評(píng)價(jià)電路、所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路、所述存儲(chǔ)電路、所述電壓控制信號(hào)生成電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

多個(gè)所述電壓供給電路全部設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片上，或者全部配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)，或者一部分設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片上而剩余的部分設(shè)置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

所述電路主體、所述漏電流評(píng)價(jià)電路、所述數(shù)據(jù)保持特性評(píng)價(jià)電路、所述存儲(chǔ)電路被設(shè)置在同一半導(dǎo)體芯片上，

所述電壓控制信號(hào)生成電路及所述電壓供給電路配置在與所述半導(dǎo)體芯片不同的區(qū)域內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

該半導(dǎo)體集成電路裝置還包括測(cè)量溫度狀況的溫度測(cè)量電路，

所述電壓控制信號(hào)生成電路基于所述溫度測(cè)量電路的測(cè)量結(jié)果以及所述半導(dǎo)體集成電路裝置的數(shù)據(jù)保持特性以及漏電流的評(píng)價(jià)結(jié)果，對(duì)所述電壓供給電路設(shè)定使所述電路主體的漏電流為最小的電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

在即將進(jìn)行所述電路主體的規(guī)定的數(shù)據(jù)保持動(dòng)作時(shí)之前取得數(shù)據(jù)保持特性與漏電流特性，進(jìn)行電壓設(shè)定。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

定期地取得數(shù)據(jù)保持特性與漏電流特性，進(jìn)行電壓設(shè)定。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中，

在超過了所設(shè)定的溫度變化量時(shí)取得數(shù)據(jù)保持特性與漏電流特性，進(jìn)行電壓設(shè)定。

14.一種通信設(shè)備，其具備權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置。