[發明專利]氧化物燒結體及濺射靶材

有效

• 申請號: 200980136121.6
• 申請日: 2009-09-14
• 公開（公告）號: CN102159517A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 宇都野太;井上一吉;川島浩和;笠見雅司;矢野公規;寺井恒太
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C04B35/00
• 分類號: C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種氧化物燒結體，其特征在于，

鎵固溶于氧化銦，

原子比Ga/(Ga+In)為0.001～0.12，

銦和鎵相對于總金屬原子的含有率為80原子％以上，

具有In₂O₃的方鐵錳礦結構。

2.根據權利要求1所述的氧化物燒結體，其中，所述Ga/(Ga+In)為0.001～0.10。

3.根據權利要求1所述的氧化物燒結體，其特征在于，所述Ga/(Ga+In)為0.005～0.08。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，所述方鐵錳礦結構的晶格常數為以上且不到

5.根據權利要求1～4中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，密度為6.5～7.1g/cm³。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，體電阻為10mΩcm以下。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，分散的Ga的集合體的直徑小于1μm。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，正4價以上的金屬離子的含量為100原子ppm以下。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，正2價以下的金屬離子的含量為100原子ppm以下，且正4價的金屬離子濃度≤正2價的金屬離子濃度。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的氧化物燒結體，其特征在于，添加有選自氧化釔、氧化鈧、氧化鋁及氧化硼中的1種或2種以上的氧化物。

11.根據權利要求10所述的氧化物燒結體，其特征在于，添加有0.01～5原子％的選自氧化釔、氧化鈧、氧化鋁及氧化硼中的1種或2種以上的氧化物。

12.權利要求1～11中任一項所述氧化物燒結體的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

以鎵與銦的原子比為Ga/(In+Ga)＝0.001～0.12，對平均粒徑小于2μm的銦化合物粉末和平均粒徑小于2μm的鎵化合物粉末進行混合的工序；

將所述混合物成形的工序；以及

在1200℃～1600℃，對所述成形體燒成2～96小時的工序。

13.根據權利要求12所述的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于，在氧氣氛中或加壓下進行燒成。

14.一種濺射靶材，其特征在于，其由權利要求1～11中任一項所述氧化物燒結體構成。

15.一種氧化物薄膜，其特征在于，使用權利要求14所述的濺射靶材進行成膜而成。

16.一種氧化物薄膜，其特征在于，

鎵固溶于氧化銦，

原子比Ga/(Ga+In)為0.001～0.12，

銦和鎵相對于總金屬原子的含有率為80原子％以上，

具有In₂O₃的方鐵錳礦結構。

17.根據權利要求16所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述原子比Ga/(Ga+In)為0.001～0.10。

18.根據權利要求16所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述原子比Ga/(Ga+In)為0.005～0.08。

19.根據權利要求16～18中任一項所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述方鐵錳礦構造的晶格常數為以上且不到

20.根據權利要求16～19中任一項所述的氧化物薄膜，其特征在于，分散的Ga的集合體的直徑小于1μm。

21.根據權利要求16～20中任一項所述的氧化物薄膜，其特征在于，含有選自氧化釔、氧化鈧、氧化鋁及氧化硼中的1種或2種以上的氧化物。

22.根據權利要求21所述的氧化物薄膜，其特征在于，添加有0.01～5原子％的選自氧化釔、氧化鈧、氧化鋁及氧化硼中的1種或2種以上的氧化物。

23.一種薄膜晶體管，其特征在于，使用了權利要求15～22中任一項所述的氧化物薄膜。