[發明專利]側壁形成工藝

有效

• 申請號: 200980135910.8
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102150244B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 彼得·西里格里亞諾;海倫·朱;金智洙;S·M·列扎·薩賈迪
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 周文強,李獻忠

1.一種用于在圖案化的具有光刻膠特征的光刻膠掩模下的蝕刻層中形成特征的方法，所述光刻膠特征具有第一臨界尺寸，所述方法包括：

實施多個側壁形成工藝，所述多個側壁形成工藝中的每一個包括：

通過實施多個周期性沉積在所述圖案化的光刻膠掩模上沉積保護層，所述多個周期性沉積中的每一個包括：

沉積階段，用于在所述圖案化的光刻膠掩模的表面上沉積沉積層；和

輪廓成型階段，包括在所述沉積層中形成垂直表面；以及

相對于所述沉積層的垂直表面選擇性蝕刻所述保護層的水平表面；以及

蝕刻所述蝕刻層以在其中形成特征，所述蝕刻層中的特征具有比第一臨界尺寸小的第二臨界尺寸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積階段包括：

輸送沉積氣體；

使所述沉積氣體產生等離子體；以及

停止輸送所述沉積氣體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述輪廓成型階段包括：

輸送輪廓成型氣體；

使所述輪廓成型氣體產生等離子體；以及

停止輸送所述輪廓成型氣體。

4.根據權利要求3所述的方法，其中選擇性蝕刻所述保護層的水平表面包括：

輸送貫穿氣體；

使所述貫穿氣體產生等離子體；以及

停止輸送所述貫穿氣體。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述選擇性蝕刻所述保護層的水平表面包括完全除去在所述圖案化的光刻膠掩模的水平面上覆蓋的部分保護層。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述選擇性蝕刻所述保護層的水平表面包括部分除去在所述圖案化的光刻膠掩模的水平面上覆蓋的部分保護層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述保護層具有厚度為5nm至30nm的側壁。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二臨界尺寸比所述第一臨界尺寸小至少約50％。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述保護層的沉積在所述圖案化的光刻膠掩模頂部形成保護層。

10.根據權利要求6所述的方法，包括除去所述保護層和光刻膠掩模。

11.一種用于在圖案化的具有光刻膠特征的光刻膠掩模下的蝕刻層中形成特征的裝置，所述光刻膠特征具有第一臨界尺寸，所述裝置包括：

等離子體處理室，包括：

形成等離子體處理室外殼的室壁；

位于所述等離子體處理室外殼內的用于支持基底的基底支架；

在所述等離子體處理室外殼中的用于調節壓力的壓力調節器；

至少一個電極，用于向所述等離子體處理室外殼提供電力以維持等離子體；

進氣口，用于提供氣體進入等離子體處理室外殼；以及

出氣口，用于從所述等離子體處理室外殼排出氣體；

與所述進氣口氣流連接的氣體源，包括：

沉積氣體源；

輪廓成型氣體源；

貫穿氣體源；以及

特征蝕刻氣體源；

可控連接所述氣體源和所述至少一個電極的控制器，包括：

至少一處理器；以及

計算機可讀介質，包括：

用于執行多個側壁形成工藝的計算機可讀代碼；

用于執行所述多個側壁形成工藝中的一個的計算機可讀代碼，包括：

用于通過實施多個周期性沉積在所述圖案化的光刻膠掩模上沉積保護層的計算機可讀代碼；

用于實施多個周期性沉積中的一個的計算機可讀代碼，包括：

用于在所述圖案化的光刻膠掩模的表面上沉積沉積層的沉積階段的計算機可讀代碼；以及

用于在所述沉積層中形成垂直表面的輪廓成型階段的計算機可讀代碼；以及

用于相對于所述沉積層的垂直表面選擇性蝕刻所述保護層的水平表面的計算機可讀代碼；以及

用于蝕刻所述蝕刻層以在所述蝕刻層中形成特征的計算機代碼，所述蝕刻層中的特征具有比第一臨界尺寸小的第二臨界尺寸。

12.根據權利要求11所述的裝置，還包括：

用于輸送沉積氣體的計算機可讀代碼；

用于使所述沉積氣體形成等離子體的計算機可讀代碼；以及

用于停止輸送所述沉積氣體的計算機可讀代碼。