[發明專利]板厚控制

有效

• 申請號: 200980135584.0
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN102150283A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 彼德·L·凱勒曼;菲德梨克·卡爾森;法蘭克·辛克萊
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種形成板的方法，包括：

將材料的熔化物冷卻；

在所述熔化物中形成所述材料的板，所述板具有第一厚度；以及

使所述板自所述第一厚度變薄至第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述熔化物是選自由硅、硅鍺、鎵以及氮化鎵組成的群。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述變薄在所述形成之后發生于所述熔化物中。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述變薄以至少1μm/s的速率而發生。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述變薄在所述形成之后使用輻射加熱器而發生。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括使用溢道而自所述熔化物來分離所述板，所述分離在所述變薄之前發生。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一厚度為200μm且所述第二厚度為100μm。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括通過所述變薄而使所述板的表面平滑。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括通過更改所述變薄的參數來控制所述第二厚度。

10.一種用于形成板的設備，包括：

容器，其界定經配置以固持材料的熔化物的通道；

冷卻板，其安置于靠近所述熔化物處，所述冷卻板經配置以在所述熔化物上形成所述材料的板；以及

輻射加熱器。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述熔化物是選自由硅、硅鍺、鎵以及氮化鎵組成的群。

12.根據權利要求10所述的設備，還包括安置于所述通道中的溢道，所述溢道安置在所述熔化物內且經配置以自所述熔化物分離所述板，其中所述熔化物流動而遠離所述板。

13.一種形成板的方法，包括：

在第一階段中對材料的熔化物進行冷卻，所述第一階段中的所述冷卻具有第一參數；

在所述熔化物中形成所述材料的板的第一層，所述板的所述第一層具有第一厚度及第一溶質濃度；

在第二階段中對所述熔化物進行冷卻，所述第二階段中的所述冷卻具有不同于所述第一參數的第二參數；

使所述板自第一厚度增加至第二厚度，且形成所述板的第二層，在所述第一厚度與所述第二厚度之間的所述第二層具有高于所述第一溶質濃度的第二溶質濃度；以及

使所述板自所述第二厚度變薄至所述第一厚度。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述熔化物是選自由硅、硅鍺、鎵以及氮化鎵組成的群。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一厚度在50μm與100μm之間，且所述第二厚度在150μm與200μm之間。

16.根據權利要求13所述的方法，還包括通過所述增加及所述變薄來降低所述熔化物中的溶質濃度。

17.根據權利要求16所述的方法，其中自所述熔化物收集及分離由所述變薄產生的廢熔化物。

18.根據權利要求16所述的方法，其中收集由所述變薄產生的廢熔化物且隨后將其凈化及再循環。

19.根據權利要求13所述的方法，其中所述變薄在所述形成及所述增加之后使用輻射加熱器而發生。

20.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一參數及所述第二參數是選自由長度及溫度組成的群。