[發明專利]平面熱電堆紅外線微傳感器有效
| 申請號: | 200980135346.X | 申請日: | 2009-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN102150021A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發明(設計)人: | 穆罕默德·包特許;班諾瓦·巴塔尤 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/12 | 分類號: | G01J5/12 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;劉文意 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平面 熱電 紅外線 傳感器 | ||
技術領域
本發明涉及一種紅外線傳感器。
背景技術
在工藝控制及制造中,紅外線溫度傳感器已使用多年,且最近汽車應用上的使用更是逐漸增多。硅熱電堆,當制造成本低至足以用于車輛使用時,僅產生非常低的輸出信號。因此,由于噪聲的問題,對于現成的通用低成本元件來說,信號增強及校正變得困難。
小尺寸的紅外線傳感器通常由三個功能部件形成。首先,使用輻射吸收涂布來選擇頻寬。接著,熱電堆檢測器以席貝克效應轉換溫度差成為電壓。熱電堆基本上為一或多個熱電偶的排列。最后,裝設熱電偶檢測器的基材至散熱片上,穩定傳感器的溫度。
當使用硅技術時,需考慮到硅基材的高導熱率。其中一種解決方法為使用微機械式懸掛結構,例如薄膜或懸臂。熱接點聚集在位于具有低導熱率的薄膜或懸臂上的吸收區附近,因而減少熱傳導的損失。冷接點位于散熱片上,通常為硅基材。此種結構使熱電偶的熱接點和冷接點之間具有高熱阻,及因此能具有高靈敏度。
將多種的上述熱電偶傳感器集成在一硅晶片上,并使用多晶硅作為熱電堆是已經可行的。然而,這兩種類型的熱接點之間顯著的熱差異,使傳感器對于氣體傳導和對流現象高度敏感。這些裝置因此必須形成為封裝結構。
因此,所需的封裝引出了可靠度及成本的問題。
有多種方法來形成無需封裝的傳感器,例如M.Boutchich團隊于Sensors?and?Actuators?A?121(2005)52-58所發表的文章“Package-free?infrared?micro?sensor?using?polysilicon?thermopile”中所描述的。
發明內容
本發明在此提供一種紅外線傳感器,包含:
一散熱基材,具有導熱率相對較高的部分及導熱率相對較低的部分;
一平面熱電偶層,具有一熱接點及一冷接點,其中熱接點位于散熱基材的導熱率相對較低的部分上;
一低導熱介電層,位于熱電偶層上,且具有一通孔通向熱接點;
一紅外線反射層,覆蓋此低導熱介電層及此通孔的側壁,且有一開口位于此紅外線反射層中的熱接點的位置;及
一紅外線吸收器,位于此通孔中。
此種結構形成平面紅外線微傳感器,其使用一結構化基材及一介電層,以避免需要任何特定封裝。熱接點及冷接點被分布,其中熱接點位于基材的低導熱率的部分。紅外線反射層實施為一輻射熱管,其被圖案化至傳感器上,取代傳統公知的平面輻射涂布。熱管通過提供聚焦至熱電偶,而提供較高的靈敏度,且對氣體傳導及對流有較佳的抗擾性。
優選地,傳感器還包含提供集成透鏡元件于通孔上方,其提供額外聚焦至熱電偶的功能,因而增加靈敏度。
紅外線吸收器可填滿通孔,或紅外線接收器可僅位于熱接點上的通孔的底部。在后者所述的例子中,通孔剩余的空間為真空密封。
集成透鏡可包含微透鏡,例如熔融石英、硅或派熱克斯玻璃(pyrex)。
冷接點優選位于散熱基材的導熱率相對較低的部分上。散熱基材可包含基底層及結構化散熱層。
平面熱電偶層優選包含多個串聯的熱電偶,每個熱電偶具有熱接點及冷接點,每個熱接點皆位于散熱基材的導熱率相對較低的部分上。
附圖說明
本發明實施例將配合以下附圖說明,其中:
圖1顯示依照本發明第一實施例的傳感器結構;
圖2顯示依照本發明第二實施例的傳感器結構;及
圖3顯示依照本發明第三實施例的傳感器結構。
具體實施方式
公知的紅外線傳感器一般使用單元件芯片或四元件芯片,裝設于密封的TO-46或TO-18封裝體上,其中TO-46或TO-18封裝體也包含濾波器及填充氣體。通常使用惰性氣體,例如氪,以增進裝置效能。公知技術已知,使用平面分布熱電偶檢測器的結構,及將紅外線濾波器集成至基材上。這使得可以形成薄傳感器。
本發明改進了公知設計,但仍使用具有集成紅外線濾波器的分布熱電偶的設計。本發明使用導管結構,其可為熱管形式,其可使紅外線輻射聚焦在一熱電偶接點上。再者,傳感器的方向性,也即視野,可大幅改善,而能更精確地對準。
圖1顯示依照本發明的第一實施例的傳感器結構。
傳感器包含散熱基材10,其具有導熱率相對較高的部分12及導熱率相對較低的部分14。基材可為硅基材,其界定高導熱率部分12,且氧化硅部分可界定低導熱率部分。因此,可使用STI(淺溝槽隔離)基材。
平面熱電偶層16具有連續的熱接點18及冷接點20。膜層16及其下方的基材定義為熱電堆結構。
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