[發明專利]在形成半導體構造期間利用微波輻射的方法

有效

• 申請號: 200980135344.0
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN102150238A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 約翰·斯邁思;巴斯卡爾·斯里尼瓦桑;張明
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種形成半導體構造的方法，其包括：

在半導體材料內提供摻雜劑；及

用具有約5.8吉赫的頻率的微波輻射激活所述摻雜劑，在所述摻雜劑的所述激活期間所述半導體材料的溫度不超過約500℃。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述溫度不超過約350℃。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體材料包括硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體材料由單晶硅組成。

5.一種形成半導體構造的方法，其包括：

提供具有非晶區及結晶區的半導體材料；及

利用具有約5.8吉赫的頻率的微波輻射來增加所述非晶區的結晶度，在所述微波輻射的所述利用期間所述半導體材料的溫度不超過約500℃。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述溫度不超過約350℃。

7.一種形成半導體構造的方法，其包括：

將摻雜劑植入硅內；所述硅為單晶的，且所述植入形成非晶硅的損壞區；及

同時地激活所述摻雜劑及通過將所述硅暴露于具有約5.2厘米的主頻譜波長峰值的微波輻射來修復所述損壞區，在所述暴露于所述微波輻射期間所述硅的溫度不超過約500℃。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述溫度不超過約350℃。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述摻雜劑包括硼、磷及砷中的一者或一者以上。

10.根據權利要求7所述的方法，其中：

所述植入為第一植入且包括植入具有第一導電性類型的第一摻雜劑；

在所述第一植入之后進行第二植入，且所述第二植入包括植入具有與所述第一導電性類型相反的第二導電性類型的第二摻雜劑；且

所述摻雜劑的所述激活及所述損壞區的所述修復在所述第一及第二植入之后發生。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一及第二植入直接抵靠所述半導體材料的n型區形成所述半導體材料的p型區，且其中所述p型區與所述n型區一起構成p-n二極管。

12.根據權利要求7所述的方法，其進一步包括在植入所述摻雜劑之前在所述硅上方形成晶體管柵極，且其中所述植入形成與所述柵極對準的經導電摻雜源極/漏極區。

13.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括在所述摻雜劑的所述激活之前在所述經導電摻雜源極/漏極區上方且直接抵靠所述經導電摻雜源極/漏極區形成金屬硅化物。

14.一種形成集成電路的方法，其包括：

在半導體構造內提供第一摻雜劑；

利用具有約5.8吉赫的頻率的第一微波輻射脈沖達適合于僅激活所述第一摻雜劑中的一些摻雜劑的持續時間，同時含硅材料的溫度保持在小于或等于約500℃下；

在利用所述第一微波輻射脈沖之后，在所述半導體構造內提供第二摻雜劑；及

利用具有約5.8吉赫的頻率的第二微波輻射脈沖達適合于完成所述第一摻雜劑的激活且完全激活所述第二摻雜劑的持續時間，同時所述含硅材料的溫度保持在小于或等于約500℃下。

15.根據權利要求14所述的方法，其中：

所述第一微波輻射脈沖期間的所述溫度保持在小于或等于約400℃下；且

所述第二微波輻射脈沖期間的所述溫度保持在小于或等于約400℃下。

16.根據權利要求14所述的方法，其中：

所述第一微波輻射脈沖期間的所述溫度保持在小于或等于約350℃下；且

所述第二微波輻射脈沖期間的所述溫度保持在小于或等于約350℃下。

17.根據權利要求14所述的方法，其中：

所述半導體構造包括單晶硅晶片；

所述第一摻雜劑在所述單晶硅晶片內形成摻雜為第一摻雜劑類型的阱；且

所述第二摻雜劑形成整體包含于所述阱內且摻雜為與所述第一摻雜劑類型相反的第二摻雜劑類型的植入區。