[發(fā)明專利]陰極和陰極形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980135203.9 | 申請日: | 2009-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102149854A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·羅伯特·瑟斯佐 | 申請(專利權(quán))人: | 斯提奧摩有限公司 |
| 主分類號: | C25C7/02 | 分類號: | C25C7/02 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 張穎玲;武晨燕 |
| 地址: | 澳大利亞*** | 國省代碼: | 澳大利亞;AU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 形成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于金屬離子電解的陰極,以及一種陰極形成方法。特別地但不排它地,本發(fā)明涉及一種尤其適用于鈷離子或鎳離子從溶液中電解的陰極。
背景技術(shù)
將溶液中的金屬離子電解以得到固態(tài)金屬產(chǎn)物,是一種用于析出相對較純的金屬的公知技術(shù)。在金屬離子溶液中放入固態(tài)陰極,并向該陰極施加電流,接著陰極上會發(fā)生金屬的電沉積。定期將陰極和附著的金屬產(chǎn)物從溶液中移除。然后,將固態(tài)金屬產(chǎn)物從陰極上剝離,并且理想地,對陰極進(jìn)行再利用。用于陰極的材料具有適宜的導(dǎo)電性,以使金屬產(chǎn)物能夠沉積。此外,陰極的材料使得金屬產(chǎn)物能夠容易地從陰極上移除,而金屬產(chǎn)物又不會過早地分離。優(yōu)選地,采用魯棒性(robust)的陰極,這樣陰極可以反復(fù)經(jīng)受沉積以及剝離的循環(huán),且在每一次循環(huán)之間只需對陰極進(jìn)行最少的處理。
由于鈷金屬的電沉積具有固有的高內(nèi)應(yīng)力,因此鈷金屬的電沉積尤為困難。若鈷電沉積到鑲有絕緣邊沿襯條(edge?strips)的標(biāo)準(zhǔn)平面不銹鋼坯上,會導(dǎo)致鈷金屬板有過早地從陰極上分離的趨勢。如果去除絕緣邊沿襯條,鈷金屬在陰極周圍生長,這就解決了金屬從陰極上過早分離的問題。但是,鈷金屬更難從陰極上去除,且去除金屬時很可能會導(dǎo)致陰極被破壞。陰極被破壞,就可能需要頻繁地對每個陰極進(jìn)行維修,這將導(dǎo)致工廠運營成本的增加。
將鈷電沉積為多份是有利的,因為在下游流程中多份的鈷電沉積更容易處理。
現(xiàn)有技術(shù)中,為解決鈷電沉積中存在的難題所提出的方案是,制造陰極時將一層絕緣掩膜施加到不銹鋼坯板上,這樣一來,析出的導(dǎo)電金屬部分就暴露在電解液中。
加拿大專利號1,078,324的專利披露了這樣一種電極,其中掩膜是一種環(huán)氧涂料。導(dǎo)電部分相對于掩蔽層凹陷。這種陰極的問題之一是掩蔽膜暴露于電解液和剝離程序中的苛刻環(huán)境中。掩蔽膜很容易斷裂和損壞,尤其是在導(dǎo)電部分的邊緣。掩蔽膜的破壞會導(dǎo)致在損壞區(qū)域上形成金屬沉積,而這又導(dǎo)致掩蔽膜進(jìn)一步的損壞。這樣一來,陰極就不能夠使用,且每隔一段時間,必須從陰極上剝離掩蔽膜,清洗陰極,并重新施用新的掩蔽膜。
加拿大專利號1,066,657的專利披露了一種陰極,其中,將金屬圓片貼到平板或線柵上。將絕緣樹脂填充到圓片周圍的空隙區(qū)域。可選地,將大型量規(guī)的刻痕鋼絲貼到組件上,將樹脂填入空隙區(qū)域,留下鋼絲的彎曲處不被覆蓋。在這些陰極中,導(dǎo)電部分要么與周圍的絕緣樹脂齊平,要么高出它。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服或至少緩解上述的一個或多個問題,并為消費者提供有用的或商業(yè)上的選擇。
在一種形式中,盡管其不必是唯一的或最廣泛的實施方式,本發(fā)明提供了一種用于接收金屬電沉積的陰極,該陰極包括:
平面導(dǎo)電板;以及
位于該平面導(dǎo)電板的至少一個表面上的凸起部分,其中該平面導(dǎo)電板和該凸起部分一體成型。
該陰極還可以包括:
位于該凸起部分周圍的絕緣材料,其中該凸起部分的表面始終暴露。
優(yōu)選地,每個該凸起部分都具有平面上表面,其中該平面上表面的形狀選自:基本上圓形、基本上方形、基本上菱形、或基本上錠形(lozenge)。
在一個優(yōu)選實施例中,凸起部分形成位于平面導(dǎo)電板的前表面的前表面陣列和位于平面導(dǎo)電板的后表面的后表面陣列。優(yōu)選地,前表面陣列具有與后表面陣列基本上相似的配置。可選地,前表面陣列具有與后表面陣列基本上不同的配置。
在另一種形式中,本發(fā)明提供了一種形成用于接收金屬電沉積的陰極的方法,該方法包括:
使用掩蔽材料掩蔽平面導(dǎo)電板的區(qū)域,以形成已掩蔽的導(dǎo)電板;
向已掩蔽的導(dǎo)電板施加化學(xué)品,以化學(xué)蝕刻未掩蔽區(qū)域,從而形成具有一體成形的凸起部分以及已蝕刻區(qū)域的該平面導(dǎo)電板,該凸起部分在已掩蔽區(qū)域內(nèi)形成。
該方法還可以包括:
將絕緣材料施加到平面導(dǎo)電板的已蝕刻區(qū)域。
本發(fā)明的進(jìn)一步特征將通過以下詳細(xì)描述而易于理解。
附圖說明
為幫助理解本發(fā)明并使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嶋H應(yīng)用本發(fā)明,以下將參考附圖,僅以示例方式來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的陰極的正面圖;
圖2A為圖1所示陰極的剖面圖;
圖2B為圖2A進(jìn)一步包括絕緣材料的剖面圖;
圖3A為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的陰極的剖面圖;
圖3B為圖3A進(jìn)一步包括絕緣材料的剖面圖;
圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的陰極的正面圖;
圖5為根據(jù)本發(fā)明再一實施例的陰極的正面圖;
圖6A為根據(jù)本發(fā)明實施例的形成陰極的方法的第一步驟的示意圖;
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