[發明專利]絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法和絕緣膜無效
| 申請號： | 200980134004.6 | 申請日： | 2009-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102138205A | 公開（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發明（設計）人： | 大野隆央;田島暢夫;稻石美明;神力學;宮澤和浩 | 申請（專利權）人： | 獨立行政法人物質·材料研究機構;大陽日酸株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/312 | 分類號： | H01L21/312;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 材料 使用 方法 | ||
1.一種等離子體CVD用絕緣膜材料，以下述化學式(1)表示，
在式(1)中，m和n是3～6的整數，m和n在一個分子中可以相同，也可以相互不同。
2.根據權利要求1所述的等離子體CVD用絕緣膜材料，其特征在于，分子中不含有氧。
3.根據權利要求1所述的等離子體CVD用絕緣膜材料，其特征在于，分子中不含有碳的雙鍵。
4.根據權利要求1所述的等離子體CVD用絕緣膜材料，其特征在于，分子中含有與硅鍵合且CH2構成的兩個環狀結構。
5.一種成膜方法，使用權利要求1所述的絕緣膜材料，通過等離子體CVD法形成絕緣膜。
6.根據權利要求5所述的成膜方法，在成膜時，不伴隨有載氣。
7.一種絕緣膜，用權利要求5所述的成膜方法得到。
8.根據權利要求7所述的絕緣膜，絕緣膜的相對介電常數為3.5以下。
9.一種絕緣膜材料的應用，是權利要求1所述的絕緣膜材料在利用等離子體CVD法形成絕緣膜中的應用。
10.根據權利要求9所述的絕緣膜材料的應用，利用等離子體CVD法形成包含配線層和層間絕緣膜的多層配線結構中的層間絕緣膜。
11.根據權利要求9所述的絕緣膜材料的應用，利用等離子體CVD法形成包含配線層、銅擴散阻擋性絕緣膜和層間絕緣膜的多層配線結構中的銅擴散阻擋性絕緣膜。
12.根據權利要求7所述的絕緣膜，絕緣膜的相對介電常數為2.9～3.5。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
