[發明專利]激光材料移除方法和設備有效
申請號: | 200980133793.1 | 申請日: | 2009-08-21 |
公開(公告)號: | CN102132378A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
發明(設計)人: | 張震華;V·V·s·拉納;V·K·沙哈;C·埃博斯帕切 | 申請(專利權)人: | 應用材料股份有限公司 |
主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L31/042 |
代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 激光 材料 方法 設備 | ||
1.一種用于材料移除的設備,其至少包括:
第一機器人,設以將具有介電層沉積于其第一表面上的基材自輸入區傳送至基材運送表面上的數個支撐特征結構的一個;
顯像系統,設以檢測該基材的實際位置,并將關于該實際位置的信息傳達至系統控制器;
第一激光掃描儀,配置以依照所欲圖案移除該介電層的一部分,其中該系統控制器設以確定該實際位置相對于該基材的預期位置的偏移,并調整該第一機器人或該激光掃描儀任意一個以修正該偏移;及
自動化系統,設以將該具有圖案化介電層的基材自該第一激光掃描儀運送至設以沉積導電層于該介電層上的沉積室。
2.如權利要求1所述的設備,其中該基材經配置以致由該第一激光掃描儀散發的光線的一部分以低于燒蝕閥值照射該基材,同時該介電材料的部分被移除而不傷害該下方基材。
3.如權利要求1所述的設備,其中該第一激光掃描儀通過聚焦光線于該介電層的部分上而熱加壓該部分并物理性移除該介電層的該部分而不蒸發該介電材料。
4.如權利要求1所述的設備,更包括:
第二激光掃描儀,配置以依照所欲圖案移除該導電層的一部分;及
第二機器人,設以將該基材自該基材運送表面傳送至離開區。
5.如權利要求1所述的設備,其中當該第一激光掃描儀移除該介電層的部分時,該第一機器人設以固持該基材且讓該第一表面朝向下方。
6.如權利要求5所述的設備,其中該系統控制器設以確定該實際位置相對于該基材的預期位置的偏移,并調整該第一機器人或該激光掃描儀任意一個以修正該偏移。
7.如權利要求1所述的設備,更包括第一基材固持件,設以在該激光掃描儀移除該介電層的部分時固持該基材。
8.如權利要求1所述的設備,其中當該基材置于該基材運送表面的支撐特征結構中時,該激光掃描儀經配置以自該基材移除該介電層的一部分。
9.一種工藝設備,其至少包括:
第一機器人,設以將基材自輸入區傳送至基材運送表面上的數個支撐特征結構的一個;
顯像系統,設以檢測該基材的實際位置并將關于該實際位置的信息傳達至系統控制器;
第一沉積室,設以沉積介電層于該基材上;
第一激光掃描儀,經配置以在該基材被置于該基材運送表面上時依照所欲圖案自該基材移除該介電層的一部分,其中該系統控制器設以確定該實際位置相對于該基材的預期位置的偏移并調整該激光掃描儀以修正該偏移;
第二沉積室,設以沉積導電層于該圖案化的介電層上;及
自動化系統,設以在該第一沉積室、該第一激光掃描儀與該第二沉積室之間運送該基材。
10.如權利要求9所述的設備,其中該基材經配置以致由該第一激光掃描儀散發的光線的一部分以低于燒蝕閥值照射該基材,同時該介電材料的部分被移除而不傷害該下方基材。
11.如權利要求9所述的設備,其中該第一激光掃描儀設以通過聚焦光線于該介電層的部分上而熱加壓該部分并物理性移除該介電層的該部分而不蒸發該介電材料。
12.如權利要求9所述的設備,更包括:
第二激光掃描儀,經配置以依照所欲圖案移除該導電層的一部分;及
第二機器人,設以將該基材自該基材運送表面傳送至一離開區。
13.一種處理基材的方法,其至少包括:
偵測具有介電材料沉積于其表面上的基材的實際位置;
確定該實際位置相對于該基材的預期位置的偏移;
透過機器人將該基材傳送至基材運送表面上的數個支撐特征結構的一個;
基于該偏移調整第一激光;
透過該第一激光依照所欲圖案自該基材的表面移除該介電材料的一部分;
移動該基材進入沉積室;
沉積導電層于該圖案化的介電層上;
基于該偏移調整第二激光;及
透過該第二激光依照所欲圖案移除該導電層的一部分。
14.如權利要求13所述的方法,其中移除該介電材料的一部分的步驟包括配置該基材以致由該第一激光散發的光線的一部分以低于燒蝕閥值照射該基材,同時移除該介電材料的部分而不傷害該下方基材。
15.如權利要求13所述的方法,其中移除該介電材料的一部分的步驟包括通過聚焦光線于該介電材料的該部分而熱加壓該部分,并物理性移除該介電材料的該部分而不蒸發該介電材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造