[發明專利]半導體發光元件及半導體發光裝置有效
| 申請號： | 200980133530.0 | 申請日： | 2009-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN102132426A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發明（設計）人： | 家段勝好;井上芳樹 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/28;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 沈錦華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 元件 裝置 | ||
1.一種半導體發光元件，其特征在于包括：
第1半導體層；
發光層，其設置于所述第1半導體層上；
第1焊墊電極，其與所述發光層隔開而設置于所述第1半導體層上；
第2半導體層，其設置于所述發光層上；
絕緣體層，其設置于所述第2半導體層上的一部分區域，并且包含于其厚度方向上貫通的孔部；
透光性電極層，其自所述第2半導體層的其他區域連續至所述絕緣體層的上面的一部分為止而設置；以及
第2焊墊電極，其設置成通過所述絕緣體層的所述孔部而與所述第2半導體層相接觸，并且在夾著所述透光性電極層而與所述絕緣體層相對向的位置上與所述透光性電極層相接觸；并且
所述第2焊墊電極與所述第2半導體層的接觸電阻大于所述透光性電極層與所述第2半導體層的接觸電阻。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于：所述絕緣體層的厚度為10～750nm，所述透光性電極層的厚度為20～400nm，所述第2焊墊電極的厚度為400～2000nm。
3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于：所述絕緣體層的孔部的開口形狀為圓形或大致圓形，其開口面積為所述絕緣體層與所述第2半導體層相接觸的面積的80％以下。
4.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于：所述絕緣體層的孔部的開口形狀為圓形或大致圓形，其開口面積為所述絕緣體層與所述第2半導體層相接觸的面積的80％以下。
5.根據權利要求3所述的半導體發光元件，其特征在于：所述絕緣體層的孔部的平均直徑為16μm以上。
6.根據權利要求4所述的半導體發光元件，其特征在于：所述絕緣體層的孔部的平均直徑為16μm以上。
7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的半導體發光元件，其特征在于：所述第1半導體層是設置于特定基板上。
8.一種半導體發光裝置，其特征在于：包含多個根據權利要求7所述的半導體發光元件，并且將至少兩個所述半導體發光元件串聯連接而成。
9.一種半導體發光裝置，其特征在于：在特定基板上設置多個根據權利要求1至6中任一權利要求所述的半導體發光元件，并且將至少兩個所述半導體發光元件串聯連接而成。
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