[發明專利]壓電陶瓷、其制造方法和壓電器件

有效

• 申請號: 200980133416.8
• 申請日: 2009-08-10
• 公開（公告）號: CN102131746A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 波多野桂一;岸本純明;土信田豐
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: C04B35/00
• 分類號: C04B35/00;H01L41/083;H01L41/187;H01L41/22;H01L41/24;H03H9/17
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;季向岡

1.一種壓電陶瓷，其特征在于：

含有[K_1-xNa_x]_1-yLi_y[Nb_1-z-wTa_zSb_w]O₃作為主相，含有K₃Nb₃O₆Si₂O₇作為副相，其中，x、y、z、w表示摩爾比，分別為0≤x＜1、0≤y＜1、0≤z＜1、0≤w＜1。

2.如權利要求1所述的壓電陶瓷，其特征在于：

在表示為(1-a)[K_1-xNa_x]_1-yLi_y[Nb_1-z-wTa_zSb_w]O₃+aK₃Nb₃O₆Si₂O₇時，成為0.003≤a≤0.10，其中，a表示摩爾比。

3.如權利要求1或權利要求2所述的壓電陶瓷，其特征在于：

在通過X射線衍射法進行分析時，對應于所述[K_1-xNa_x]_1-yLi_y[Nb_1-z-wTa_zSb_w]O₃的結晶相的譜的最強峰的峰強度I₁與對應于所述K₃Nb₃O₆Si₂O₇的結晶相的譜的最強峰的峰強度I2之比I2/I1為0.8％～9.0％。

4.一種壓電器件，其為第一電極和第二電極隔著壓電陶瓷層相對的壓電器件，其特征在于：

所述壓電陶瓷層由權利要求1～權利要求2中任一項所述的壓電陶瓷形成。

5.如權利要求4所述的壓電器件，其特征在于：

所述第一電極和所述第二電極隔著壓電陶瓷層交替重疊多層，所述壓電器件具備與所述第一電極電連接的第一端子電極和與所述第二電極電連接的第二端子電極。

6.一種壓電陶瓷的制造方法，其特征在于，包括：

得到以[K_1-xNa_x]_1-yLi_y[Nb_1-z-wTa_zSb_w]O₃表示的鈣鈦礦組合物的步驟；

得到以K₃Nb₃O₆Si₂O₇表示的組合物的步驟；

將所述[K_1-xNa_x]_1-yLi_y[Nb_1-z-wTa_zSb_w]O₃和所述K₃Nb₃O₆Si₂O₇混合的步驟；和

將兩者的混合物成型、燒制的步驟，

其中，x、y、z、w表示摩爾比，分別為0≤x＜1、0≤y＜1、0≤z＜1、0≤w＜1。