[發(fā)明專利]由InGaO3(ZnO)結(jié)晶相形成的氧化物半導(dǎo)體用濺射靶材及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980133158.3
• 申請日: 2009-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN102131953A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 矢野公規(guī);川島浩和
• 申請（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01L21/363;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種濺射靶材，其特征在于，其由氧化物燒結(jié)體形成，所述氧化物燒結(jié)體含有具有InGaO₃(ZnO)所示同系結(jié)晶結(jié)構(gòu)的化合物，

X射線衍射中2θ＝62～63度之間的峰為InGaO₃(ZnO)的最大峰的3％以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶材，其由僅顯示InGaO₃(ZnO)所示同系結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化物燒結(jié)體形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶材，其中，含有100～10000ppm的正四價(jià)以上的元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的濺射靶材，其中，除氧之外的原子比符合下式：

0.20≤In/(In+Zn+Ga)≤0.60

0.10≤Ga/(In+Zn+Ga)

0.10≤Zn/(In+Zn+Ga)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的濺射靶材，其中，所述氧化物燒結(jié)體的相對密度為95％以上，平均結(jié)晶粒徑為20μm以下，體電阻為20mΩcm以下。

6.一種制造權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射靶材的方法，其特征在于，

包括將含有復(fù)合氧化物的氧化物的成形體燒結(jié)的工序，

所述濺射靶材由含有In、Zn、Ga的氧化物燒結(jié)體形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，復(fù)合氧化物含有In、Zn、Ga。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，成形體含有從含有In及Zn的復(fù)合氧化物、含有In及Ga的復(fù)合氧化物、或含有Ga及Zn的復(fù)合氧化物中選擇的1種以上的復(fù)合氧化物。

9.一種制造權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射靶材的方法，其中，包括將復(fù)合氧化物粉末成形的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，進(jìn)行成形的工序時(shí)，進(jìn)行加壓成形的同時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。

11.一種制造權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射靶材的方法，其特征在于，

包括將除氧之外的原子比符合下式的成形體燒結(jié)的工序，

Ga/(In+Zn+Ga)＜In/(In+Zn+Ga)

所述濺射靶材由含有In、Zn、Ga的氧化物燒結(jié)體形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，包括將除氧之外的原子比符合下式的成形體燒結(jié)的工序，

0.51≤In/(In+Ga)≤0.86

0.20≤In/(In+Zn+Ga)≤0.60

0.10≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.45。

13.根據(jù)權(quán)利要求11～12中任一項(xiàng)所述的方法，其中，包括：

將原料粉成形而得到成形體的工序，

將所得成形體在1230～1350℃燒結(jié)3～60小時(shí)，或在1350～1450℃燒結(jié)0.5～8小時(shí)的工序。

14.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任一項(xiàng)所述的方法，其中，于含氧氣氛中進(jìn)行燒結(jié)。

15.一種非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體膜的形成方法，其特征在于，以使用了權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的濺射靶材的濺射法，形成比電阻為10^-1～10⁸Ωcm的非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體膜。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體膜的形成方法，其中，形成所述非晶質(zhì)氧化物半導(dǎo)體膜作為薄膜晶體管的通道層。

17.一種濺射靶材，其由氧化物燒結(jié)體形成，所述氧化物燒結(jié)體含有具有InGaO₃(ZnO)所示同系結(jié)晶結(jié)構(gòu)的化合物，

所述濺射靶材不含Ga₂O₃結(jié)晶相、ZnGa₂O₄結(jié)晶相、In₂O₃結(jié)晶相、ZnO結(jié)晶相、In₂O₃(ZnO)₃結(jié)晶相、InGaO₃結(jié)晶相。