[發明專利]等離子體處理裝置、等離子體處理方法、等離子體處理裝置的清潔方法和等離子體處理裝置用壓力調整閥無效
| 申請號: | 200980132951.1 | 申請日: | 2009-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN102132387A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 野沢俊久;河本慎二;巖崎征英 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 方法 清潔 壓力 調整 | ||
1.一種等離子體處理裝置用壓力調整閥,在對被處理基板進行等離子體處理的等離子體處理裝置中設置,該等離子體處理裝置具有:保持臺,在其上保持上述被處理基板;處理容器,其容置上述保持臺并在位于上述保持臺的下方側的區域設有用于減壓的排氣孔;排氣路,該排氣路的至少一部分在相對于排氣方向正交的斷面上具有長尺寸方向的區域和與上述長尺寸方向正交的短尺寸方向的區域,并且該排氣路具有從上述排氣孔向下方側延伸的部分;泵,其與上述排氣路的排氣方向的下游側連接而對上述處理容器內減壓;關閉閥,其對上述排氣路進行開閉,
該等離子體處理裝置用壓力調整閥特征在于,
被設置在上述關閉閥的排氣方向的上游側的上述排氣路上,
包含具有長尺寸方向的區域和與上述長尺寸方向正交的短尺寸方向的區域的壓力調整用閥板,
被安裝在上述排氣路的一部分上,以上述等離子體處理裝置用壓力調整閥為基準對上述等離子體處理裝置用壓力調整閥的排氣方向的上游側和下游側的壓力進行調整。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
上述排氣路包含:從上述排氣孔向下方側延伸的第一排氣路;與上述第一排氣路的排氣方向的下游側連接,在與上述第一排氣路不同的方向上延伸,在相對于排氣方向正交的斷面上是寬度方向比上下方向長的橫長斷面形狀的第二排氣路;與上述第二排氣路的排氣方向的下游側連接,在與上述第二排氣路不同的方向上延伸的第三排氣路,
上述等離子體處理裝置用壓力調整閥被設置在上述第二排氣路。
3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
上述關閉閥被設置在上述第三排氣路。
4.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
在相對于排氣方向正交的斷面上,上述第二排氣路的斷面為矩形狀,
上述壓力調整用閥板的輪廓形狀為能夠封閉上述第二排氣路的矩形狀。
5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
上述壓力調整用閥板,以在長尺寸方向上延伸的軸為旋轉中心軸旋轉。
6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
上述壓力調整用閥板具有雙支撐構造。
7.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置用壓力調整閥,其特征在于,
上述等離子體處理裝置用壓力調整閥,可裝卸地設置在上述排氣路上。
8.一種等離子體處理裝置,對被處理基板進行等離子體處理,其特征在于,具有:
保持臺,在其上保持上述被處理基板;
處理容器,其容置上述保持臺,并在位于上述保持臺的下方側的區域上設有用于減壓的排氣孔;
第一排氣路,其從上述排氣孔向下方側延伸;
第二排氣路,其與上述第一排氣路的排氣方向的下游側連接,在與上述第一排氣路不同的方向上延伸,在相對于排氣方向正交的斷面上是寬度方向比上下方向長的橫長斷面形狀;
第三排氣路,其與上述第二排氣路的排氣方向的下游側連接,在與上述第二排氣路不同的方向上延伸;
泵,其與上述第三排氣路的排氣方向的下游側連接而對上述處理容器內減壓;
壓力調整閥,其設置在上述第二排氣路內,具有能夠封閉上述第二排氣路且對排氣方向的上游側和下游側的壓力進行調整的壓力調整用閥板;
關閉閥,其設置在上述第三排氣路內,具有進行上述第三排氣路的開閉的關閉閥板。
9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
在相對于排氣方向正交的斷面上,上述第二排氣路的斷面為矩形狀,
上述壓力調整用閥板的輪廓形狀為能夠封閉上述第二排氣路的矩形狀。
10.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
上述壓力調整用閥板以在長尺寸方向上延伸的軸為旋轉中心軸旋轉。
11.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
上述關閉閥包含位于上述關閉閥板和構成上述第三排氣路的壁之間的環狀的密封部件,
在上述密封部件的外側設有保護上述密封部件的保護部件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





