[發明專利]串聯分段式發光二極管

有效

• 申請號: 200980132907.0
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN102132429A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 古拉姆·漢士奈因
• 申請（專利權）人: 普瑞光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種光源，該光源包括

一基板；

一發光結構，系包含：

一第一導電型半導體材料第一層，系沉積在該基板上；

一活化層，系位于該第一層上方；及

一第二導電型半導體材料第二層，系位于該活化層上方，且該第二導電型系相反于該第一導電型；

一阻障，系分隔該發光結構成為彼此電氣絕緣的第一與第二區段；

一串聯電極，系連接該第一區段中該第一層至該第二區段中該第二層；

一第一電力接點，系電氣連接至該第一區段中該第二層；及

一第二電力接點，系電氣連接至該第二區段中該第一層，其中當該第一與第二電力接點間產生一電位差時該第一及第二區段產生光。

2.如權利要求1所述的光源，其中該阻障包含延伸通過該發光結構的一溝槽。

3.如權利要求2所述的光源，其中該串聯電極包含沉積在該溝槽中的一導電材料層，該溝槽具有防止該導電材料層與該第二區段中該第一層或該活化層構成直接接觸的一絕緣層。

4.如權利要求2所述的光源，其包含位在部份該串聯電極下方的一絕緣層，該串聯電極系位在該第二區段中該活化層上方。

5.如權利要求3所述的光源，其中該導電材料層包含一金屬。

6.如權利要求3所述的光源，其中該導電材料層包含銦錫氧化物。

7.如權利要求2所述的光源，其中該阻障對于行進在該第一層中的光為透光。

8.一種制造一光源的方法，該方法包括

沉積一發光結構在一基板上，該發光結構包含：

一第一導電型半導體材料第一層，系沉積在該基板上；

一活化層，系位于該第一層上方；及

一第二導電型半導體材料第二層，系位于該活化層上方，且該第二導電型系相反于該第一導電型；

產生一阻障，其分隔該發光結構成為彼此電氣絕緣的第一與第二區段；

沉積一串聯電極，系連接該第一區段中該第一層至該第二區段中該第二層；

提供一第一電力接點，系電氣連接至該第一區段中該第二層；及

提供一第二電力接點，系電氣連接至該第二區段中該第一層，其中當該第一與第二電力接點間產生一電位差時該第一及第二區段產生光。

9.如權利要求8所述的方法，其中該阻障系藉由蝕刻延伸通過該發光結構到該基板的一溝槽而產生。

10.如權利要求9所述的方法，其中沉積該串聯電極包含沉積一絕緣層在該溝槽中，及沉積一導電材料層在該溝槽中的該絕緣層之上，該絕緣層防止該導電材料層與該第二區段中該第一層或該活化層構成直接接觸。

11.如權利要求9所述的方法，其中該絕緣層位在部份該串聯電極下方，該串聯電極系位在該第二區段中該活化層上方。

12.如權利要求10所述的方法，其中該導電材料層包含一金屬。

13.如權利要求10所述的方法，其中該導電材料層包含銦錫氧化物。

14.如權利要求9所述的方法，其中該阻障對于行進在該第一層中的光為透光。