[發(fā)明專利]磁阻元件及其制造方法、用于該制造方法的存儲介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980132854.2
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN102132434A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 栗林正樹;大衛(wèi)·朱利安托·賈亞普拉維拉
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能安內(nèi)華股份有限公司
• 主分類號: H01L43/10
• 分類號: H01L43/10;C23C14/34;H01F10/32;H01F41/18;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種磁阻元件，其特征在于，具有：

襯底；

位于所述襯底側(cè)的結(jié)晶性第一強(qiáng)磁性材料層；

位于所述結(jié)晶性第一強(qiáng)磁性材料層上的、具有含B原子和Mg原子的金屬氧化物的晶體結(jié)構(gòu)的隧道阻礙層；以及

位于所述隧道阻礙層上的結(jié)晶性第二強(qiáng)磁性材料層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述隧道阻礙層中，B原子在所述金屬氧化物中的含量為30原子％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，所述隧道阻礙層還構(gòu)成為如下的層疊膜：具有含B原子和Mg原子的合金層或者由Mg原子構(gòu)成的金屬層，在該合金層或者金屬層的兩側(cè)具有含B原子和Mg原子的金屬氧化物的結(jié)晶層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述結(jié)晶性第一強(qiáng)磁性材料層與所述隧道阻礙層之間具有由Mg原子構(gòu)成的金屬層或含Mg原子的合金層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁阻元件，其特征在于，所述含Mg原子的合金層是含Mg原子和B原子的合金層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，在所述結(jié)晶性第二強(qiáng)磁性材料層與所述隧道阻礙層之間具有由Mg原子構(gòu)成的金屬層或者含Mg原子的合金層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁阻元件，其特征在于，所述合金層是含Mg原子和B原子的合金層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的磁阻元件，其特征在于，所述第一強(qiáng)磁性材料層、所述隧道阻礙層、所述第二強(qiáng)磁性材料層分別具有由柱狀晶的集合體形成的多晶結(jié)構(gòu)。

9.一種磁阻元件的制造方法，其特征在于，具有如下步驟：

第一步驟，使用濺射法形成無定形結(jié)構(gòu)的第一強(qiáng)磁性材料層的膜；

第二步驟，使用濺射法在所述第一強(qiáng)磁性材料層上形成含B原子和Mg原子的金屬氧化物的結(jié)晶層的膜；

第三步驟，使用濺射法，在所述金屬氧化物的結(jié)晶層上形成無定形結(jié)構(gòu)的第二強(qiáng)磁性材料層的膜；以及

第四步驟，將所述第一強(qiáng)磁性材料層和所述第二強(qiáng)磁性材料層的無定形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為晶體結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第四步驟是退火步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第二步驟是如下步驟：通過使用由含B原子和Mg原子的金屬氧化物構(gòu)成的靶進(jìn)行濺射，來形成含B原子和Mg原子的金屬氧化物的結(jié)晶層的膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁阻元件的制造方法，其特征在于，所述第二步驟是如下步驟：通過使用由含B原子和Mg原子的合金構(gòu)成的靶和氧化性氣體進(jìn)行反應(yīng)性濺射，來形成含B原子和Mg原子的金屬氧化物的結(jié)晶層的膜。

13.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)存儲了使用如下步驟來制造磁阻元件的控制程序，所述步驟包括：

第一濺射步驟，形成無定形結(jié)構(gòu)的第一強(qiáng)磁性材料層的膜；

第二濺射步驟，在所述第一強(qiáng)磁性材料層上形成含B原子和Mg原子的金屬氧化物的結(jié)晶層的膜；

第三濺射步驟，在所述金屬氧化物的結(jié)晶層上形成無定形結(jié)構(gòu)的第二強(qiáng)磁性材料層的膜；以及

結(jié)晶步驟，將所述第一強(qiáng)磁性材料層和所述第二強(qiáng)磁性材料層的無定形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為晶體結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述結(jié)晶步驟是退火步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述第二濺射步驟是使用了由含B原子和Mg原子的金屬氧化物構(gòu)成的靶的濺射步驟。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，所述第二濺射步驟是使用了由含B原子和Mg原子的合金構(gòu)成的靶和氧化性氣體的反應(yīng)性濺射步驟。