[發明專利]傳感器裝置封裝件和方法

有效

• 申請號: 200980132711.1
• 申請日: 2009-08-21
• 公開（公告）號: CN102132136A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 約翰·當特蘭;羅杰·霍通
• 申請（專利權）人: S3C公司
• 主分類號: G01L9/06
• 分類號: G01L9/06
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種傳感器裝置封裝件，其包括：

管座，其具有第一表面和第二表面，所述管座包括在所述第一表面和所述第二表面之間的管路、和在所述第一表面中的第一開口，其中所述第一開口與所述管路連通；和

管芯墊盤，其具有基底和從所述基底延伸出的支撐結構，所述支撐結構被構造為在其上容納MEMS裝置，所述MEMS裝置具有第一熱膨脹系數(CTE)，所述管芯墊盤具有第二CTE，所述第二CTE與所述第一CTE大致相符，其中所述管芯墊盤的所述基底密封于所述管座的所述管路，

其中，所述支撐結構具有的尺寸被構造成當所述管芯墊盤在所述管路中經過熱膨脹或收縮時使所述管座和所述管芯墊盤之間的力最小。

2.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管芯墊盤包括從由Invar、Kovar、玻璃、硅和陶瓷組成的群組中選出的材料。

3.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管座包括鋼。

4.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管座包括鋁。

5.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述基底的壁厚大于所述支撐結構的壁厚。

6.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，還包括基座，其中所述基座位于所述MEMS裝置和所述支撐結構之間。

7.根據權利要求6所述的傳感器裝置封裝件，其中所述基座和所述支撐結構形成為一體。

8.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管芯墊盤在其上包括鎳-金層。

9.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管芯墊盤構造為容納所述MEMS裝置和至少一個其他裝置。

10.根據權利要求9所述的傳感器裝置封裝件，其中所述MEMS裝置包括第二開口，所述第一開口被構造為與所述第二開口連通，并且其中，所述第一開口具有的直徑小于所述第二開口。

11.一種用于形成傳感器裝置封裝件的方法，其包括如下步驟：

形成管芯墊盤，所述管芯墊盤被構造為在其上容納MEMS裝置，所述MEMS裝置具有第一熱膨脹系數(CTE)，其中所述管芯墊盤由具有第二CTE的材料制成，所述第二CTE與所述第一CTE大致相符，所述管芯墊盤具有基底和支撐結構，所述支撐結構從所述基底突伸；和

將所述管芯墊盤連結到管座封裝件的容納開口，其中所述支撐結構具有的高度尺寸和壁厚被構造為當所述管芯墊盤受到來自所述管座封裝件的熱膨脹或收縮力時使所述MEMS裝置處的力最小。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述管芯墊盤包括從由Invar、Kovar、玻璃、硅和陶瓷組成的群組中選出的材料。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述管芯墊盤包括管路，所述管路從所述管芯墊盤的底表面延伸到頂表面，以界定了所述頂表面中的第一開口，所述第一開口被構造為與所述MEMS裝置的相應開口連通，并且其中，所述第一開口的直徑小于所述MEMS裝置的所述相應開口。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述管芯墊盤被構造為容納所述MEMS裝置和至少一個其他裝置。

15.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管芯墊盤包括基底和支撐結構，所述支撐結構具有第三CTE，所述第三CTE與所述第一CTE和所述第二CTE相符。

16.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述支撐結構從所述基底突伸。

17.根據權利要求1所述的傳感器裝置封裝件，其中所述管芯墊盤包括穿過其延伸的第二管路，所述第二管路與所述第一管路連通，并且其中，所述第二管路在所述基底中的直徑大于在所述支撐結構中的直徑。