[發明專利]表面處理的氮化鋁擋板

有效

• 申請號: 200980132709.4
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN102132382A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 穆罕默德·M·拉希德;德米特里·魯博彌爾斯克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種用在半導體處理腔室中的擋板，包含：

主體，包含氮化鋁和金屬氧化物粘結劑，其中，在所述主體的表面上的氮化鋁與所述金屬氧化物粘結劑的比率大于或等于所述主體內部的所述比率。

2.根據權利要求1所述的擋板，其中，所述金屬氧化物粘結劑包含氧化釔或氧化鉺的至少一個。

3.根據權利要求1所述的擋板，其中所述主體進一步包含：

中心桿；及

外部環形物，耦合至所述中心桿的下部，并從此處向外徑向延伸。

4.根據權利要求1所述的擋板，進一步包含：

氣體入口，配置在所述中心桿的上部中；及

多個氣體出口，配置在所述中心桿的下部中，并流體耦合至所述氣體入口。

5.根據權利要求1所述的擋板，進一步包含：

多個孔，配置通過所述外部環形物，以幫助處理氣體從所述擋板的背側流到所述擋板的前側。

6.一種用于處理半導體基材的設備，包含：

處理腔室，具有內容積和配置在其頂板中的第一氣體入口；及

如之前任一項權利要求所限定擋板，耦合至所述第一氣體入口，并裝配為引導第一處理氣體從所述第一氣體入口流到所述內容積。

7.一種制造用在半導體處理腔室中的擋板的方法，包含：

燒結鋁、氮和金屬氧化物粘結劑，以形成所述擋板的主體，所述主體具有配置在其表面上的過量的金屬氧化物粘結劑；及

從所述表面移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑。

8.根據權利要求7所述的方法，其中移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑的步驟進一步包含以下步驟：

從所述表面移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑，以致在所述主體的所述表面上的氮化鋁與所述金屬氧化物粘結劑的比率大于或等于所述主體內部的所述比率。

9.根據權利要求7所述的方法，其中移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑的步驟進一步包含以下步驟：

通過噴砂、噴粒、濕性擦蝕、機械研磨或機械拋光所述主體的所述表面的至少一種方法來移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑。

10.根據權利要求9所述的方法，其中移除大量的所述過量金屬氧化物粘結劑的步驟進一步包含以下步驟：

在移除大量的所述金屬氧化物粘結劑之后，將所述擋板的所述表面暴露至包含腐蝕酸的溶液。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述金屬氧化物粘結劑包含氧化釔或氧化鉺的至少一個。

12.由權利要求7-11描述的方法所形成的用在半導體處理腔室中的擋板。

13.一種處理半導體基材的方法，包含以下步驟：

將基材放置在處理腔室中的基材支撐上，所述處理腔室具有內容積和相對所述支撐基座配置在所述處理腔室的頂板中的第一氣體入口；

使第一處理氣體流過耦合至所述第一氣體入口的擋板并進入所述內容積，所述擋板如權利要求1-5中任一項所限定；及

以所述第一處理氣體處理所述基材。

14.根據權利要求13所述的方法，進一步包含：

在處理所述基材之前，在所述擋板的所述表面上沉積時效處理層。

15.根據權利要求13所述的方法，進一步包含：

由于所述第一和所述第二處理氣體的所述流動而在所述基材表面上沉積材料層。