[發明專利]半導體器件及其制造方法無效
| 申請號: | 200980132004.2 | 申請日: | 2009-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN102150260A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發明(設計)人: | 寶藏寺裕之;守田俊章;保田雄亮;依田智子;白井優之 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/28 | 分類號: | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件,其特征在于,包括:
具有2個以上布線層的電路基板;
電子部件,所述電子部件安裝在所述電路基板上,與所述電路基板上面的所述布線層的焊盤相連接;
封固體,所述封固體是將所述電路基板上的所述電子部件用絕緣樹脂密封得到的;和
電磁波屏蔽層,所述電磁波屏蔽層是通過在所述封固體表面涂布金屬粒子,將涂布后的金屬粒子燒結而形成的,
所述電磁波屏蔽層與所述電路基板的所述布線層之一進行電連接。
2.如權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,
所述電磁波屏蔽層是通過將銀、或由銀和銅構成的金屬粒子燒結而形成的。
3.如權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,
所述電磁波屏蔽層具有利用所述燒結形成的0.1μm以上50μm以下的多個孔。
4.如權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,
所述電磁波屏蔽層是通過將下述混合物燒結而形成的,所述混合物為金屬氧化物粒子、乙酸類化合物或甲酸類化合物、和由有機物形成的還原劑的混合物。
5.一種半導體器件的制造方法,其特征在于,包括:
將電子部件安裝在具有2個以上布線層的電路基板上的工序;
將所述電子部件與所述電路基板上面的所述布線層的焊盤連接的工序;
將所述電路基板上的所述電子部件用絕緣樹脂的封固體密封的工序;和
在所述封固體的表面上涂布金屬粒子,將涂布后的所述金屬粒子燒結,使其與所述電路基板的所述布線層之一進行電連接的工序。
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