[發(fā)明專利]13C的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980131198.4 | 申請日: | 2009-07-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102119121A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 澤田重美;水野忠彥 | 申請(專利權(quán))人: | 澤田重美 |
| 主分類號(hào): | C01B31/02 | 分類號(hào): | C01B31/02;B01J23/755 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sup 13 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種以碳化合物作為原料來制造13C(質(zhì)量數(shù)為13的非放射性的碳的穩(wěn)定同位素)的方法,特別涉及用于在低溫下獲得作為非放射性的碳的穩(wěn)定同位素的13C的13C的制造方法。
背景技術(shù)
以往采用的是如下的方法,即,將氘和氚加熱到1億度以上,引起核聚變反應(yīng),生成氦等,獲得非常大的核聚變能量。該方法具有如下等優(yōu)點(diǎn),即,原料基本上無窮無盡,在原理上不會(huì)失控,沒有二氧化碳的產(chǎn)生,不會(huì)產(chǎn)生高水平的放射性廢棄物。
另外,在日本特開平08-211191號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中,公開了利用數(shù)千安培的大電流所致的電弧放電產(chǎn)生等離子體而使氘、氚在數(shù)千萬度下發(fā)生核聚變反應(yīng)的技術(shù)。
另外,如非專利文獻(xiàn)1中所示,現(xiàn)在雖然常溫核聚變的研究也在積極地進(jìn)行,然而尚處于學(xué)問研究的階段,還沒有達(dá)到工業(yè)化水平的程度。
另外,在國際公開第2008/072546號(hào)小冊子(專利文獻(xiàn)2)中,公開了如下的用于制造13C的技術(shù),即,利用簡易裝置,使反應(yīng)溫度大幅度降低,設(shè)為1000℃以下的溫度,作為原料使用通用的烴化合物,在氫與硫化合物的存在下,使用鉑催化劑、鈀催化劑等,不產(chǎn)生放射性廢棄物地獲得作為非放射性的碳的同位素的13C。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開平08-211191號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:國際公開第2008/072546號(hào)小冊子
非專利文獻(xiàn)1:日本原子力學(xué)會(huì)志Vol.47,No.9(2005)大阪大學(xué)?高橋?亮人、三菱重工株式會(huì)社?巖村?康弘著p.62-p.63
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
但是,根據(jù)以往的技術(shù),在作為原料使用通用的烴化合物,在氫和硫化合物的存在下,不產(chǎn)生放射性廢棄物地獲得作為非放射性的碳的穩(wěn)定同位素的13C的制造方法中,由于作為反應(yīng)催化劑使用產(chǎn)量少且特殊的鉑催化劑或鈀催化劑等,因此存在難以作為通用的技術(shù)的問題。
解決課題的手段
為了解決以上的問題,首先,第一發(fā)明提供一種13C的制造方法,其特征在于,是以碳化合物作為原料,在氫、硫化合物和反應(yīng)催化劑的存在下,利用500℃以上并且1000℃以下的反應(yīng),獲得作為非放射性的碳的穩(wěn)定同位素的13C的制造方法,其中反應(yīng)催化劑是鎳燒結(jié)體或鎳合金的燒結(jié)體。
另外,第二發(fā)明提供如下的上述第一發(fā)明中所述的13C的制造方法,其特征在于,上述硫化合物的硫含有率為,相對于上述碳化合物為50重量ppm以上,并且為7重量%以下。
另外,第三發(fā)明提供如下的上述第一發(fā)明中所述的13C的制造方法,其特征在于,上述氫的壓力為9.8×105Pa以上,并且為22.3×106Pa以下(10kg/cm2以上,并且為250kg/cm2以下)。
另外,第四發(fā)明提供一種13C的制造方法,其特征在于,是以碳化合物作為原料,在氫與惰性氣體的混合氣體、硫化合物和反應(yīng)催化劑的存在下,利用500℃以上并且1000℃以下的反應(yīng),獲得作為非放射性的碳的穩(wěn)定同位素的13C的制造方法,其中反應(yīng)催化劑是鎳燒結(jié)體或鎳合金的燒結(jié)體。
本發(fā)明中,作為碳化合物,如果大體上分類,則可以選擇氣體、液體、固體。作為氣體的代表例,有甲烷、乙烷、丙烷、丁烷等烴,作為液體的代表例,有苯、甲苯、萘、蒽、汽油、輕油、煤油、重油、雜酚油、煤焦油等。此外作為固體的代表例,有活性碳、炭黑、煤、焦炭等。它們既可以單獨(dú)使用,也可以將上述的氣體、液體、固體的碳化合物分別任意地混合使用。
另外,本發(fā)明中,氫除了在原子核中為1個(gè)質(zhì)子的(H)以外,也可以將在原子核中有1個(gè)質(zhì)子和1個(gè)中子的氘(D)或有1個(gè)質(zhì)子和2個(gè)中子的氚(T:tritium)等氫的同位素作為原料,然而最優(yōu)選在工業(yè)上作為通用氣體使用的氫。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于澤田重美,未經(jīng)澤田重美許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980131198.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>網(wǎng)狀埋層擴(kuò)散拋光片
- 零50電力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>專用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印輸出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>圖像的方法
- 在硅晶片上制備n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型結(jié)構(gòu)的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯(lián)合提取裝置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯(lián)合提取裝置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的測定方法
- 五環(huán)[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚體的合成方法
- 含煙包裝袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>離子的含量測定方法
- <base:Sup>68
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測試終端的測試方法
- 一種服裝用人體測量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





