[發明專利]在下游制程中使用圖案辨識來對準圖案無效
| 申請號: | 200980131051.5 | 申請日: | 2009-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN102119436A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發明(設計)人: | 保羅·J·墨菲;尼可拉斯·P·T·貝特曼 | 申請(專利權)人: | 瓦里安半導體設備公司 |
| 主分類號: | H01L21/265 | 分類號: | H01L21/265;H01L21/66;H01L21/3115 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美國麻*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 下游 制程中 使用 圖案 辨識 對準 | ||
1.一種處理基板的方法,包括:
植入離子至基板的一部分;
利用偵測系統確定所述植入部分的實際位置;以及
在后續處理步驟中利用所述實際位置。
2.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中所述植入步驟是在沒有使用光罩的情形下進行。
3.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中所述偵測系統選自于由電荷耦合元件相機、紅外線相機、光二極管以及激光所組成的族群。
4.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中所述后續處理步驟包括網板印刷。
5.根據權利要求4所述的處理基板的方法,其中將膠施加在所述植入部分。
6.根據權利要求5所述的處理基板的方法,其中所述膠的施加位置是由所述實際述位置來決定。
7.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中所述實際位置是參照基準點。
8.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中所述基板包括標志符,且所述實際位置與所述標志符被儲存在資料庫中。
9.根據權利要求8所述的處理基板的方法,其中所述后續處理步驟從所述資料庫中讀取信息來確定所述實際位置。
10.根據權利要求1所述的處理基板的方法,其中離子的植入使所述基板的所述部分進行非晶化。
11.根據權利要求10所述的處理基板的方法,其中所述非晶化在所述基板上造成視覺差異,且所述偵測系統根據所述視覺差異確定所述非晶化部分。
12.根據權利要求1所述的處理基板的方法,還包括處理所述基板以制造太陽能電池。
13.一種系統,用來處理需進行多個處理步驟的基板,包括:
離子植入機,用以將離子植入所述基板的一部分;
偵測系統,用以確定所述植入部分的實際位置;以及
前饋系統,用以在后續處理步驟中運用所述實際位置。
14.根據權利要求13所述的系統,其中所述偵測系統選自于由電荷耦合元件相機、紅外線相機、光二極管以及激光所組成的族群。
15.根據權利要求13所述的系統,還包括資料庫,其中所述基板包括標志符,且所述實際位置與所述標志符被儲存在資料庫中。
16.根據權利要求15所述的系統,其中所述后續處理步驟從所述資料庫中讀取信息來確定所述實際位置。
17.根據權利要求13所述的系統,其中所述離子植入機對所述基板的一部分進行非晶化。
18.根據權利要求13所述的系統,其中所述基板被處理成太陽能電池。
19.一種產品,其由如權利要求1所述的處理基板的方法所制造。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





