[發明專利]除去向下流經風室的流體的氣泡

有效

• 申請號: 200980130735.3
• 申請日: 2009-08-17
• 公開（公告）號: CN102112193A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 恩里科·馬尼;拉塞爾·馬丁
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: B01D19/00
• 分類號: B01D19/00
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 周文強;李獻忠

1.一種儀器，包括：

在頭部內的輸送通路，其接收來自所述頭部外面的流體；

在所述頭部內的風室，與允許所述流體從所述輸送通路流入所述風室的輸入通道相連，其中所述輸入通道各自具有朝向所述風室的倒置V-型開口以促使所述風室中的所有氣泡經所述倒置的V-型開口向上流；

在所述頭部內的輸出通道，允許流體從所述風室向下流到基底上；

在所述頭部內的返回通路，其提供來自所述附近頭部外面的抽吸力；和

在所述頭部內的連接通路，其將所述輸送通路與所述返回通路相連并讓一定量的流體從所述輸送通路流到所述返回通路，其中所述量比從所述輸送通路流到所述風室的流體總量小。

2.根據權利要求1所述的儀器，還包括與所述返回通路相連的、在所述頭部內的返回通道，其中所述返回通道從所述基底抽吸所述流體。

3.根據權利要求1所述的儀器，其中已通過一次或多次流體輸送和空轉時間的交替循環將所述儀器初始化以消除所述輸出通道、所述風室、所述輸入通道和所述輸送通道中的所述氣泡。

4.根據權利要求3所述的儀器，其中交替循環的次數的大致范圍為10-15。

5.根據權利要求1所述的儀器，其中所述基底為半導體晶片。

6.根據權利要求1所述的儀器，其中所述頭部在基底上形成彎月面。

7.根據權利要求6所述的儀器，其中所述基底為半導體晶片。

8.根據權利要求5所述的儀器，其中所述流體為蝕刻流體。

9.根據權利要求7所述的儀器，其中所述流體為選自清潔流體和清洗流體的流體。

10.根據權利要求7所述的儀器，其中所述流體為進行Marangoni干燥的流體。

11.除去頭部的風室內流體中的氣泡的方法，包括：

將所述流體泵送入所述頭部內的輸送通路；

允許所述流體流入所述頭部內的所述風室中，其中所述風室與允許所述流體從所述輸送通路流入所述風室的輸入通道相連，其中所述輸入通道各自具有朝向所述風室的倒置V-型開口以促使所述風室中的所有氣泡經所述倒置的V-型開口向上流；

允許所述流體從所述風室經所述頭部內與所述風室相連的輸出通道向下流到基底上；

在頭部內返回通路中產生抽吸力，其中連接通路將所述輸送通路和返回通路相連并允許一定量的流體從所述輸送通路流到所述返回通路，其中所述量比從所述輸送通路流到所述風室的流體總量小。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括與所述返回通路相連的、在所述頭部內的返回通道，其中所述返回通道從所述基底抽吸所述流體。

13.根據權利要求11所述的方法，還包括通過一次或多次流體輸送和空轉時間的交替循環將所述頭部初始化以消除所述輸出通道、所述風室、所述輸入通道和所述輸送通道中的所述氣泡的工序。

14.根據權利要求13所述的方法，其中交替循環的次數的大致范圍為10-15。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述基底為半導體晶片。

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述頭部在基底上形成彎月面。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述基底為半導體晶片。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述流體為選自清潔流體和清洗流體的流體。

19.根據權利要求17所述的方法，其中所述流體為進行Marangoni干燥的流體。

20.一種自吸頭部的方法，包括：

通過一次或多次重復以下工序將所述頭部初始化以在基底上產生彎月面：

將流體泵送入所述頭部內的輸送通道，所述輸送通道允許所述流體向下經多條輸入通道進入所述頭部內的風室中，所述風室允許所述流體向下經多條輸出通道流到所述基底上，其中所述輸入通道各自具有倒置的V-型開口；和

通過經所述風室和經朝向所述輸送通道的倒置V-型開口和經將所述輸送通道與輸出氣泡的返回通道相連的連接通路向上抽吸所述氣泡除去所述輸出通道、所述風室、所述輸入通道和所述輸送通道的所述氣泡，其中所述連接通路允許一定量的流體從所述輸送通路流到所述返回通路，所述量比從所述輸送通路流到所述風室的流體總量小；和

通過將所述流體泵送入所述輸送通道來在基底上形成所述彎月面。