[發明專利]納米碳生成裝置

有效

• 申請號: 200980130667.0
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN102119120A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 杉山英一;井手勝記;小城和高;野間毅
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌;陳萍

1.一種納米碳生成裝置，其特征在于，

具備：

還原氣氛的加熱容器；

加熱源，配置在該加熱容器的外周部；

碳氫化合物注入噴嘴，配置在上述加熱容器的上游側，向加熱容器內進行碳氫化合物的噴霧；以及

生成納米碳排出噴嘴，配置在上述加熱容器的下游側，

在加熱容器的內面上配置金屬基板，由碳氫化合物注入噴嘴連續地進行碳氫化合物的噴霧，由此使其在金屬基板上反應而成長納米碳，使成長的生成納米碳從金屬基板剝離，并從上述排出噴嘴排出生成納米碳。

2.根據權利要求1所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

上述加熱容器中配置有對在上述金屬基板表面上生成的納米碳進行刮取的刮取機構，通過該刮取機構刮落在金屬基板的表面成長的納米碳。

3.根據權利要求1所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

上述金屬基板的材質為鐵，該金屬基板的表面溫度，在連續均勻地對碳氫化合物進行噴霧的狀態下被設定在550～700℃的范圍。

4.根據權利要求1所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

向上述金屬基板表面噴霧的碳氫化合物在加熱容器內進行加熱而成為氣體狀態，并在不降低金屬基板表面的溫度的情況下被均勻地噴霧。

5.根據權利要求4所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

使向上述金屬基板表面噴霧的碳氫化合物以液體狀態向加熱容器內進行噴霧，該液體的碳氫化合物中含有酸成分，使金屬微粒容易從金屬基板表面腐蝕而剝離，由此促進金屬基板表面上的反應。

6.根據權利要求2所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

上述刮取機構使刮取部件以加熱容器內的金屬基板的表面的中心軸為中心旋轉，并且能夠調節金屬基板的表面和刮取部件之間的間隙距離。

7.根據權利要求1所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

在上述加熱容器的納米碳排出部設置有納米碳排出用的上下2級的雙重擋板，能夠保持加熱容器內的溫度為一定、并為還原氣氛的狀態，將納米碳落到加熱容器外。

8.根據權利要求1所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

代替上述碳氫化合物注入噴嘴，具備碳氫化合物和催化劑噴霧噴嘴，該碳氫化合物和催化劑噴霧噴嘴將碳氫化合物和微量金屬催化劑粉向加熱容器內進行混合噴霧。

9.一種納米碳生成裝置，其特征在于，

具備：

還原氣氛的加熱容器；

金屬基板，在該加熱容器內與該容器成為同心圓狀、具有傾斜角度地配置；

加熱源，配置在該金屬基板的外周部；

碳氫化合物和催化劑混合噴霧噴嘴，配置在上述加熱容器的上游側，連續或間歇地將碳氫化合物和微量金屬催化劑粉向加熱容器內進行混合噴霧；以及

納米碳排出噴嘴，配置在上述加熱容器的下游側，

通過由碳氫化合物和催化劑混合噴霧噴嘴連續或間歇地進行混合了金屬催化劑粉的金屬催化劑粉混合碳氫化合物的噴霧，由此使其在金屬基板上反應而成長納米碳，使成長的生成納米碳從金屬基板剝離，并從納米碳排出噴嘴排出生成納米碳。

10.根據權利要求9所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

具備非活性氣體供給機構，該非活性氣體供給機構向在上述金屬基板表面上生成的納米碳間歇地噴出非活性氣體，通過從上述金屬基板上部間歇地噴出非活性氣體，由此吹落上述金屬基板表面的生成納米碳，并從納米碳排出噴嘴進行排出。

11.根據權利要求10所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

上述非活性氣體供給機構具備使從上述金屬基板上部間歇地噴出非活性氣體的位置逐次改變的機構。

12.根據權利要求9所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

上述加熱容器中配置有對在上述金屬基板表面上生成的納米碳進行刮取的刮取機構，通過該刮取機構刮落在金屬基板的表面上成長的納米碳。

13.根據權利要求9所述的納米碳生成裝置，其特征在于，

向上述金屬基板表面噴霧的金屬催化劑粉混合碳氫化合物，不僅以氣體狀態進行噴霧，還以液體狀態進行噴霧并使其在加熱容器內氣化，由此使其在金屬基板表面上反應。