[發(fā)明專(zhuān)利]原子層淀積設(shè)備和裝載方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980130603.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102112655A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S·林德弗斯;J·A·K-A·鮑蒂艾南 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 皮考遜公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/455 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/54;C30B25/02;H01L21/28;H01L21/314 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 蘇娟 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國(guó)省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 原子 層淀積 設(shè)備 裝載 方法 | ||
1.一種原子層淀積(ALD)反應(yīng)器系統(tǒng),包括:
多個(gè)ALD反應(yīng)器,所述多個(gè)ALD反應(yīng)器相對(duì)于彼此成一式樣地放置,每個(gè)所述ALD反應(yīng)器能夠接收一批用于ALD處理的基底,每個(gè)所述ALD反應(yīng)器包括能夠從頂部接近的反應(yīng)室;以及
裝載機(jī)器人,其包括抓持部分和運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述裝載機(jī)器人能夠執(zhí)行多個(gè)裝載序列,以裝載所述多個(gè)ALD反應(yīng)器中的每一個(gè),每個(gè)所述裝載序列包括:
通過(guò)所述抓持部分拾取位于存儲(chǔ)區(qū)域或架中的承載有一批基底的基底保持器;以及
通過(guò)所述運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)將帶有所述一批基底的所述基底保持器移入目標(biāo)ALD反應(yīng)器的所述反應(yīng)室中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),其中,所述裝載機(jī)器人在每個(gè)裝載序列中能夠?qū)⑺龌妆3制鲝乃龇磻?yīng)室的頂部豎直地降低至反應(yīng)室中,而不需經(jīng)過(guò)單獨(dú)的裝載室。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),其中,所述系統(tǒng)的所述ALD反應(yīng)器的數(shù)量為兩個(gè)或三個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),其中,每個(gè)所述ALD反應(yīng)器包括:
蓋系統(tǒng),所述蓋系統(tǒng)包括與反應(yīng)室蓋結(jié)合的反應(yīng)器蓋或真空室蓋;以及
提升機(jī)構(gòu),其能夠?qū)⑺錾w系統(tǒng)提升以用于裝載所述反應(yīng)室。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),包括圍繞所述多個(gè)ALD反應(yīng)器、裝載機(jī)器人和存儲(chǔ)區(qū)域或架的高效空氣微粒過(guò)濾器罩。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),能夠通過(guò)單個(gè)機(jī)器人執(zhí)行所述裝載序列,而無(wú)須人工操作員。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ALD反應(yīng)器系統(tǒng),其中,所述裝載機(jī)器人能夠在ALD處理后執(zhí)行多個(gè)卸載序列,以卸載所述多個(gè)ALD反應(yīng)器中的每一個(gè),每個(gè)所述卸載序列包括:
通過(guò)所述抓持部分從目標(biāo)ALD反應(yīng)器中拾取承載有ALD處理過(guò)的一批基底的基底保持器;以及
通過(guò)所述運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)將帶有ALD處理過(guò)的一批基底的所述基底保持器移送到所述存儲(chǔ)區(qū)域或架。
8.一種方法,包括:
操作相對(duì)于彼此以一式樣地放置的多個(gè)ALD反應(yīng)器,其中每個(gè)所述ALD反應(yīng)器能夠接收一批用于ALD處理的基底,且每個(gè)所述ALD反應(yīng)器包括能夠從頂部接近的反應(yīng)室;
通過(guò)裝載機(jī)器人執(zhí)行多個(gè)裝載序列,以裝載所述多個(gè)ALD反應(yīng)器中的每一個(gè),每個(gè)所述裝載序列包括:
拾取位于存儲(chǔ)區(qū)域或架中的承載有一批基底的基底保持器;以及
將帶有所述一批基底的所述基底保持器移入目標(biāo)ALD反應(yīng)器的所述反應(yīng)室中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,在每個(gè)所述裝載序列中,所述裝載機(jī)器人將所述基底保持器從所述反應(yīng)室的頂部豎直地降低至反應(yīng)室中,而不需經(jīng)過(guò)單獨(dú)的裝載室。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述系統(tǒng)的所述ALD反應(yīng)器的數(shù)量為兩個(gè)或三個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,每個(gè)所述ALD反應(yīng)器包括蓋系統(tǒng),所述蓋系統(tǒng)包括與反應(yīng)室蓋結(jié)合的反應(yīng)器蓋或真空室蓋,該方法包括:
將所述蓋系統(tǒng)提升以用于裝載所述反應(yīng)室。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,包括:
將高效空氣微粒過(guò)濾器罩布置為圍繞所述多個(gè)ALD反應(yīng)器、裝載機(jī)器人和所述存儲(chǔ)區(qū)域或架,從而形成局部無(wú)塵室。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述裝載序列通過(guò)單個(gè)機(jī)器人執(zhí)行,而無(wú)須人工操作員。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法,還包括在ALD處理后由所述裝載機(jī)器人執(zhí)行多個(gè)卸載序列,以卸載所述多個(gè)ALD反應(yīng)器中的每一個(gè),每個(gè)所述卸載序列包括:
從目標(biāo)ALD反應(yīng)器中拾取承載有ALD處理過(guò)的一批基底的基底保持器;以及
將帶有ALD處理過(guò)的一批基底的所述基底保持器移送到所述存儲(chǔ)區(qū)域或架。
15.一種原子層淀積(ALD)反應(yīng)器系統(tǒng),包括:
ALD反應(yīng)器,其能夠接收一批用于ALD處理的基底,并且包括能夠從頂部接近的反應(yīng)室;以及
裝載機(jī)器人,其包括抓持部分和運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述裝載機(jī)器人能夠執(zhí)行裝載序列,以裝載所述ALD反應(yīng)器,所述裝載序列包括:
通過(guò)所述抓持部分拾取位于存儲(chǔ)區(qū)域或架中的承載一批基底的基底保持器;以及
通過(guò)所述運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)將帶有所述一批基底的所述基底保持器移入所述ALD反應(yīng)器的所述反應(yīng)室中。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





