[發明專利]多模式可配置發射器電路

有效

• 申請號: 200980130506.1
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN102113222A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 秋參·納拉通;桑卡蘭·阿尼魯丹
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04;H03F3/72
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種用于配置用于通信裝置的發射器的方法，所述方法包含：

將發射(TX)信號提供到前置驅動放大器(pDA)的輸入，所述pDA具有pDA輸出，所述pDA由pDA控制信號選擇性地接通及斷開；

將所述pDA輸出耦合到驅動放大器(DA)的輸入，所述DA具有DA輸出；

提供使所述pDA輸入及所述pDA輸出分流的旁路開關，所述旁路開關由旁路控制信號控制；

在第一操作模式期間，設定所述旁路控制信號以接通所述旁路開關，且設定所述pDA控制信號以斷開所述pDA；及

在第二操作模式期間，設定所述旁路控制信號以斷開所述旁路開關，且設定所述pDA控制信號以接通所述pDA。

2.根據權利要求1所述的方法，所述旁路開關包含NMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的方法，所述第二操作模式包含進一步使用外部SAW濾波器對所述DA的所述輸出進行濾波。

4.根據權利要求1所述的方法，所述設定所述pDA控制信號以斷開所述pDA包含斷開將所述pDA耦合到電壓供應的pDA開關晶體管，所述設定所述pDA控制信號以接通所述pDA包含接通所述pDA開關晶體管。

5.根據權利要求4所述的方法，所述pDA開關晶體管為PMOS晶體管。

6.根據權利要求5所述的方法，所述pDA包含共源極串接放大器級，所述共源極串接放大器級耦合到電感器負載，所述pDA開關晶體管將所述電感器負載耦合到電壓供應。

7.根據權利要求6所述的方法，所述TX信號經由第一耦合電容器耦合到所述共源極串接放大器級的輸入，所述共源極串接放大器級的輸出經由第二耦合電容器耦合到所述DA。

8.根據權利要求1所述的方法，所述TX信號是由平衡-不平衡變換器的單端型元件產生，所述平衡-不平衡變換器的所述單端型元件耦合到所述平衡-不平衡變換器的差分元件，所述平衡-不平衡變換器的所述差分元件耦合到上變頻轉換混頻器。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含：

將所述DA輸出耦合到多個可選擇芯片外連接，每一芯片外連接將所述DA輸出耦合到一組芯片外組件，每一芯片外連接包含將所述DA輸出耦合到所述對應芯片外連接的對應芯片外連接開關；及

基于芯片外連接控制信號而啟用所述多個可選擇芯片外連接中的至少一者。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在所述第二操作模式期間啟用將所述DA輸出耦合到包括表面聲波(SAW)濾波器的一組芯片外組件的芯片外連接。

11.根據權利要求10所述的方法，所述第二操作模式對應于根據WCDMA標準在900MHz的頻率范圍下進行的TX操作。

12.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在所述第一操作模式期間啟用將所述DA輸出耦合到包括表面聲波(SAW)濾波器的一組芯片外組件的芯片外連接。

13.根據權利要求12所述的方法，所述第一操作模式對應于根據CDMA?1X或LTE標準在700MHz的頻率范圍下進行的TX操作。

14.根據權利要求10所述的方法，其進一步包含在所述第一操作模式期間啟用將所述DA輸出耦合到不包括SAW濾波器的一組芯片外組件的芯片外連接。

15.根據權利要求14所述的方法，所述第一操作模式對應于根據GSM/EDGE標準進行的TX操作。

16.根據權利要求14所述的方法，所述第一操作模式對應于根據CDMA?1X標準進行的TX操作。

17.根據權利要求10所述的方法，其進一步包含在所述第二操作模式期間啟用將所述DA輸出耦合到不包括SAW濾波器一組的芯片外組件的芯片外連接。

18.根據權利要求17所述的方法，所述第二操作模式對應于根據WCDMA標準在PCS頻率范圍下進行的TX操作。

19.根據權利要求14所述的方法，所述選擇所述可選擇芯片外連接中的至少一者包含接通對應芯片外連接開關。