[發明專利]硅精制方法有效
| 申請號： | 200980130258.0 | 申請日： | 2009-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN102112394A | 公開（公告）日： | 2011-06-29 |
| 發明（設計）人： | 大久保裕夫;廣瀨洋一;永田浩 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 精制 方法 | ||
1.一種硅精制方法，其特征在于，
至少具有對由金屬硅構成的母材照射電子束以去除金屬雜質的凝固精制工序，
所述凝固精制工序為依次進行(A)～(E)：
(A)準備要進行一次精制的所述母材，將所述母材的一部分裝填到水冷坩堝中，對配置在高真空氣氛中的所述裝填的母材的一部分的全部區域照射所述電子束使所述母材的一部分全都熔融；
(B)緩慢地減弱所述電子束的輸出，自熔融的所述母材的一部分的熔融金屬底部向著熔融金屬表面部緩慢凝固，進行凝固直至凝固的部分占所述母材整體之中的第一規定比例；
(C)在所述水冷坩堝中進一步裝填所述母材的剩余部分，對所述母材的剩余部分的全部區域照射所述電子束，使所述母材的剩余部分全都熔融；
(D)緩慢地減弱所述電子束的輸出，自熔融金屬部的底部向著熔融金屬表面部緩慢凝固，進行凝固直至凝固的部分占所述熔融金屬部整體之中的第二規定比例；
(E)去除未凝固的熔融金屬部。
2.根據權利要求1所述的硅精制方法，其特征在于，
作為所述母材，使用脫磷精制前的金屬硅，
進一步包括脫磷精制工序，在所述凝固精制工序之后繼續對去除了金屬雜質的所述水冷坩堝中的母材的全部區域照射所述電子束，以規定時間繼續對使去除了所述金屬雜質的母材熔融的熔融金屬部照射所述電子束，使用真空精煉法揮發去除磷。
3.根據權利要求1或2所述的硅精制方法，其特征在于，
在照射所述電子束使所述母材的一部分全都熔融時，
熔融的硅的一部分的量在裝填到水冷銅爐中的狀態下，深度設定在10～30mm的范圍內，
所述要進行一次精制的母材總量在裝填到水冷銅爐中的狀態下，深度設定在40～70mm的范圍內。
4.根據權利要求1或2所述的硅精制方法，其特征在于，所述水冷爐的寬度尺寸與長度尺寸之中較小的尺寸為所述水冷爐的深度的四倍以上。
5.根據權利要求1或2所述的硅精制方法，其特征在于，照射所述電子束使所述母材的一部分全都熔融時，以及照射所述電子束使所述母材的剩余部分全都熔融時，所述電子束的照射密度的最高值為1500kW/m2～3000kW/m2。
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