[發明專利]基座環

有效

• 申請號: 200980130249.1
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN102113109A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: R·阿戈爾沃;B·哈羅
• 申請（專利權）人: ASM美國公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于半導體加工工具的整體的基座環，其包括：

板件，其具有通過其形成的孔體；

至少一個肋，其從所述板件的下表面延伸；

鉆孔，其在所述肋中形成，所述鉆孔被配置為接收其中的溫度測量器件。

2.根據權利要求1所述的整體基座環，其中所述鉆孔具有圓形橫截面形狀。

3.根據權利要求1所述的整體基座環，其中所述鉆孔形成盲孔。

4.一種用于半導體加工工具的基座環，其包括：

板件，其具有通過其形成的孔體；

一對側肋，其一體地連接所述板件的下表面，所述側肋位于所述孔體的相對的兩側；

鉆孔，其在所述一對側肋中的每一個中形成，每個鉆孔都被配置為接收其中的溫度測量器件。

5.根據權利要求4所述的基座環，其進一步包括環肋，所述環肋繞所述孔體設置并且一體地連接到所述板件的所述下表面。

6.根據權利要求5所述的基座環，其中所述環肋從所述板件的所述下表面延伸大約0.1到1英寸。

7.根據權利要求5所述的基座環，其中所述一對側肋從所述板件的所述下表面延伸的距離基本與所述環肋從所述板件的所述下表面延伸的距離相同。

8.根據權利要求5所述的基座環，其中所述一對側肋中的至少一個從所述板件的所述下表面延伸的距離與所述一對側肋另外一個或所述環肋從所述板件的所述下表面延伸的距離不同。

9.根據權利要求5所述的基座環，其進一步包括中心肋，所述中心肋位于所述側肋之間，并且一體地連接到所述板件的所述下表面。

10.根據權利要求4所述的基座環，其中所述板件和所述側肋由從石墨、碳化硅SiC和硅Si組成的組中選擇的材料形成。

11.根據權利要求10所述的基座環，其中所述板件和所述側肋涂覆有碳化硅SiC。

12.根據權利要求4所述的基座環，其中所述板件具有約0.1到1英寸的厚度。

13.根據權利要求4所述的基座環，其中所述一對側肋具有一定長度，并且所述鉆孔延伸至所述側肋中至少所述側肋的所述長度的一半。

14.根據權利要求4所述的基座環，其中所述基座環只包括一片材料。

15.一種用于半導體加工工具的整體基座環，其包括：

板件，其具有通過其形成的孔體，所述板件包括上表面和下表面；

第一側肋，其一體地連接所述板件的所述下表面；

第一鉆孔，其在所述第一側肋中形成；

第二側肋，其一體地連接到所述板件的所述下表面；

第二鉆孔，其在所述第二側肋中形成；

中心肋，其一體地連接到所述板件的所述下表面，所述中心肋位于所述第一肋和第二側肋之間；

第三鉆孔，其在所述中心肋中形成；以及

環肋，其一體地連接到所述板件的所述下表面，所述環肋繞所述孔體定位。

16.根據權利要求15所述的整體基座環，其中所述第一側肋、所述第二側肋和所述中心肋一體地連接到所述環肋。

17.根據權利要求15所述的整體基座環，其中所述第一鉆孔、第二鉆孔和第三鉆孔的每一個都包括開口，所述開口被鄰近所述板件的后緣定位。

18.根據權利要求17所述的整體基座環，其中所述第一鉆孔、第二鉆孔和第三鉆孔中每一個的所述開口的相對端都是密封的。

19.根據權利要求15所述的整體基座環，其中所述第一肋、所述第二肋和所述中心肋為線性構件。

20.用于半導體加工工具的反應器，其包括：

反應室，其限定其中的反應空間；

基座，其被設置在所述反應空間內；以及

整體基座環，其繞所述基座設置，所述基座環被配置為接收至少一個溫度測量器件。

21.根據權利要求20所述的反應器，其中所述基座環由石墨形成。

22.根據權利要求20所述的反應器，其中所述基座環包括在其中形成的至少一個鉆孔，所述至少一個鉆孔被配置為接收所述至少一個溫度測量器件。

23.用于半導體加工工具的基座環，其包括：

板件，其具有前緣、后緣、厚度、以及通過所述厚度形成的孔體；以及

至少一個鉆孔，其通過所述后緣形成在所述板件中，其中所述至少一個鉆孔作為在所述板件中的盲孔形成。