[發(fā)明專利]腔室等離子清潔制程方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980130232.6
• 申請(qǐng)日: 2009-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN102113097A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 昌林·斯;程志康;英博小尻;喬舒亞·崔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/304
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種用于對(duì)制程工具中的腔室進(jìn)行等離子體清潔的方法，包括：

將襯底放置在制程腔室中的卡盤上，所述制程腔室中具有污染物組；

在所述制程腔室中執(zhí)行等離子體制程，以將所述污染物組轉(zhuǎn)移到所述襯底的上表面上；以及

從所述制程腔室移除所述襯底，所述襯底上具有所述污染物組。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述污染物組包括從由金屬顆粒和電介質(zhì)顆粒組成的組中選擇的顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述等離子體制程是約在5-50mTorr的壓力范圍下實(shí)施的低壓等離子體制程。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述等離子體制程基于流量約在每分鐘500-2000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)的范圍內(nèi)的氧氣，且實(shí)施持續(xù)時(shí)間約在60-200秒的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述制程腔室具有上電極和下電極，并且其中在所述等離子體制程期間，所述上電極具有約在500-2000瓦的范圍內(nèi)的功率源并且所述下電極具有約0瓦的功率源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在進(jìn)行所述等離子體制程之前，所述污染物組位于容納在所述制程腔室內(nèi)的淋灑頭上。

7.一種用于對(duì)制程工具中的腔室進(jìn)行等離子體清潔的方法，包括：

放置襯底以覆蓋制程腔室中的卡盤的上表面，所述制程腔室中具有污染物組；

在所述制程腔室中進(jìn)行第一等離子體制程，以將所述污染物組轉(zhuǎn)移到所述襯底的上表面上；

當(dāng)所述襯底位于所述制程腔室中時(shí)，在所述制程腔室中進(jìn)行第二等離子體制程以干燥所述制程腔室；

從所述制程腔室移除所述襯底，所述襯底上具有所述污染物組；以及

當(dāng)所述卡盤的所述上表面暴露時(shí)，在所述制程腔室中進(jìn)行第三等離子體制程。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述污染物組包括從由金屬顆粒和電介質(zhì)顆粒組成的組中選擇的顆粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第三等離子體制程消耗位于所述制程腔室中的有機(jī)污染物。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一等離子體制程是約在5-50mTorr的壓力范圍下實(shí)施的低壓等離子體制程，并且其中所述第三等離子體制程是約在200-600mTorr的壓力范圍下實(shí)施的高壓等離子體制程。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一等離子體制程基于流量約在每分鐘500-2000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)的范圍內(nèi)的氧氣，且實(shí)施持續(xù)時(shí)間約在60-200秒的范圍內(nèi)，并且其中所述第三等離子體制程基于流量約在每分鐘500-4000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)的范圍內(nèi)的氧氣，且實(shí)施持續(xù)時(shí)間約在10-60秒的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述制程腔室具有上電極和下電極，并且其中在所述第一等離子體制程期間，所述上電極具有約在500-2000瓦的范圍內(nèi)的功率源并且所述下電極具有約0瓦的功率源，并且其中，在所述第三等離子體制程期間，所述上電極具有約在0-100瓦的范圍內(nèi)的功率源并且所述下電極具有約0瓦的功率源。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在進(jìn)行所述第一等離子體制程之前，所述污染物組位于容納在所述制程腔室內(nèi)的淋灑頭上。

14.一種用于操作蝕刻制程工具的方法，包括：

在制程腔室中的卡盤上提供第一襯底；

在所述制程腔室中，利用第一等離子體制程蝕刻所述第一襯底，其中所述蝕刻在所述制程腔室中提供污染物組；

從所述制程腔室移除所述第一襯底；

放置第二襯底以覆蓋所述制程腔室中的所述卡盤的上表面；

在所述制程腔室中進(jìn)行第二等離子體制程，以將所述污染物組轉(zhuǎn)移到所述第二襯底的上表面上；

從所述制程腔室移除所述第二襯底，所述第二襯底上具有所述污染物組；以及

當(dāng)所述卡盤的所述上表面暴露時(shí)，在所述制程腔室內(nèi)進(jìn)行第三等離子體制程。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一襯底包括金屬層和電介質(zhì)層，并且其中所述污染物組包括從由金屬顆粒和電介質(zhì)顆粒組成的組中選擇的顆粒。