[發(fā)明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980129920.0 | 申請日: | 2009-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN102113040A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松室智紀(jì) | 申請(專利權(quán))人: | 住友化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/06;H05B33/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體元件,其包含柵電極、源電極、漏電極以及在上述源電極和上述漏電極之間形成的半導(dǎo)體膜;
發(fā)光元件,其包含電極,且電連接在上述半導(dǎo)體元件上;
基板,其設(shè)有上述半導(dǎo)體元件及上述發(fā)光元件;
布線層,其按照與電源連接且從上述基板的厚度方向看時內(nèi)含設(shè)有上述發(fā)光元件的區(qū)域的方式,形成在上述半導(dǎo)體元件、上述發(fā)光元件與上述基板之間;
層間絕緣膜,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體元件、上述發(fā)光元件與上述布線層之間,且形成有接觸孔;以及
接觸內(nèi)布線,其形成在上述接觸孔內(nèi),并且對上述源電極、上述漏電極及上述發(fā)光元件的上述電極中的至少任一個電極和上述布線層進(jìn)行電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
上述布線層由金屬材料或氧化物導(dǎo)電材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
上述半導(dǎo)體膜由無機氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
上述半導(dǎo)體膜由有機半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
上述發(fā)光元件是有機場致發(fā)光元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
從上述基板的厚度方向看時,上述布線層具有從設(shè)有上述發(fā)光元件的區(qū)域的整個周圍向該區(qū)域的外方突出的突出區(qū)域。
7.一種顯示裝置的制造方法,該顯示裝置包括:具有柵電極、源電極、漏電極以及在上述源電極和上述漏電極之間形成的半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體元件;具有電極且與上述半導(dǎo)體元件電連接的發(fā)光元件;以及設(shè)有上述半導(dǎo)體元件及上述發(fā)光元件的基板,該顯示裝置的制造方法包括:
按照與電源連接且從上述基板的厚度方向看時內(nèi)含設(shè)有上述發(fā)光元件的區(qū)域的方式,在上述基板上形成上述布線層的布線層形成工序;
以上述布線層為基準(zhǔn),在上述基板側(cè)的相反側(cè)形成層間絕緣膜的層間絕緣膜形成工序;
形成貫通上述層間絕緣膜且一端電連接在上述布線層上的接觸內(nèi)布線的接觸內(nèi)布線形成工序;
以上述層間絕緣膜為基準(zhǔn),在上述基板側(cè)的相反側(cè)形成上述源電極和上述漏電極的電極形成工序;以及
形成多個上述發(fā)光元件的發(fā)光元件形成工序;
上述源電極、上述漏電極及上述發(fā)光元件的電極中的至少任一個電極形成為電連接在上述接觸內(nèi)布線的另一端上。
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