[發明專利]高速感測放大器陣列以及用于非易失性存儲器的方法

有效

• 申請號: 200980129692.7
• 申請日: 2009-04-01
• 公開（公告）號: CN102113057A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 浩·T·古延;梅文龍;李升弼;張芳林;王琪銘
• 申請（專利權）人: 桑迪士克公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C11/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種感測電路，用于感測被并行感測的一組非易失性存儲器單元中的存儲器單元的傳導電流并且將其結果提供給數據總線，該感測電路包括：

節點；

預充電電路，耦接至所述節點，用于將所述節點預充電至初始電壓；

中間電路，耦接至所述節點并可連接至所述存儲器單元，由此來自所述預充電電路的電流能夠被供應至所述存儲器單元；

比較器電路，耦接至所述節點，以通過在所述節點處放電的速率來進行對所述傳導電流的確定；

數據鎖存器，耦接至所述比較器電路，用以保持所述確定的結果；以及

傳輸門，耦接至所述數據鎖存器，用以將鎖存在其中的結果與所述節點相獨立地提供給所述數據總線。

2.如權利要求1所述的感測電路，其中能夠與將鎖存的結果供應給所述數據總線同時地對所述預充電電路充電。

3.如權利要求1所述的感測電路，其中：

該組中的每個存儲器單元可被相關聯的位線訪問；以及

所述中間電路耦接至該相關聯的位線。

4.如權利要求1所述的感測電路，其中該組非易失性存儲器單元是快閃EEPROM的一部分。

5.如權利要求4所述的感測電路，其中快閃EEPROM是NAND類型的。

6.如權利要求1所述的感測電路，其中各個非易失性存儲器單元每個包含電荷存儲元件。

7.如權利要求6所述的感測電路，其中所述電荷存儲元件是浮置柵極。

8.如權利要求6所述的感測電路，其中所述電荷存儲元件是電介質層。

9.如權利要求1所述的感測電路，其中所述非易失性存儲器單元被包含在存儲器卡中。

10.如權利要求1所述的感測電路，其中所述比較器電路通過將所述傳導電流與參考值相比較來進行所述確定。

11.如權利要求1所述的感測電路，其中與所述中間電路中的切換電平相獨立地，將鎖存在所述數據鎖存器中的結果供應給所述數據總線。

12.一種感測被并行感測的一組非易失性存儲器單元中的第一存儲器單元的傳導電流并且將其結果提供給數據總線的方法，包括：

提供可被一個或多個存儲器單元經由中間電路訪問的節點；

將該節點預充電至初始電壓，用于第一感測操作；

經由所述中間電路，通過所述存儲器單元中的第一存儲器單元對該節點放電；

通過對該節點的所述放電的速率來測量經過所述第一存儲器單元的傳導電流；

鎖存所述測量的結果；

將鎖存的結果輸出至數據總線；以及

在所述鎖存之后但在完成所述輸出之前，預充電該節點，用于第二感測操作。

13.如權利要求12所述的方法，其中該組中的每個存儲器單元可被相關聯的位線訪問，該方法還包括：

在所述放電之前，將所述中間電路耦接至所述存儲器單元中的第一存儲器單元的相關聯的位線。

14.如權利要求12所述的方法，其中該組非易失性存儲器單元是快閃EEPROM的一部分。

15.如權利要求14所述的方法，其中快閃EEPROM是NAND類型的。

16.如權利要求12所述的方法，其中各個非易失性存儲器單元每個包含電荷存儲元件。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述電荷存儲元件是浮置柵極。

18.如權利要求16所述的方法，其中所述電荷存儲元件是電介質層。

19.如權利要求12所述的方法，其中所述測量包括將所述傳導電流與參考值相比較。

20.如權利要求12所述的方法，其中與所述中間電路中的切換電平相獨立地，將鎖存的結果的輸出供應給所述數據總線。