[發明專利]提供多模式離子源的技術

有效

• 申請號: 200980129479.6
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN102105966A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 彼得·E·庫魯尼西;拉傑許·都蕾;科斯特爾·拜洛;威爾漢·P·普拉托
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種用于離子植入的設備，所述設備包括：

離子源，其在多種模式下操作，其中第一模式為弧放電模式，且第二模式為RF模式。

2.根據權利要求1所述的設備，還包括用于在所述多個模式之間切換的開關。

3.根據權利要求1所述的設備，還包括RF電源及RF匹配網絡，用于在所述RF模式下操作所述離子源。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述離子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、銦、鍺及碳中的至少一個而產生等離子體。

5.根據權利要求1所述的設備，還包括陰極、反射極以及第一額外電極以提供較大電極面積。

6.根據權利要求1所述的設備，還包括陰極、反射極、第一額外電極以及第二額外電極以提供較大電極面積。

7.一種多模式離子源，所述離子源包括：

腔室，其支持多種操作模式，其中第一操作模式為弧放電模式，且第二操作模式為RF模式。

8.根據權利要求7所述的離子源，還包括用于在所述多個操作模式之間切換的開關。

9.根據權利要求7所述的離子源，還包括RF電源及RF匹配網絡，用于在所述RF模式下操作所述離子源。

10.根據權利要求7所述的離子源，其中所述離子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、銦、鍺及碳中的至少一個而產生等離子體。

11.根據權利要求7所述的離子源，還包括陰極、反射極以及第一額外電極以提供較大電極面積。

12.根據權利要求7所述的離子源，還包括陰極、反射極、第一額外電極以及第二額外電極以提供較大電極面積。

13.一種用于多種模式中的離子植入的方法，所述方法包括：

基于弧放電模式而提供離子源的第一操作模式；

基于RF模式而提供所述離子源的第二操作模式；以及

使用至少一開關在所述第一模式與所述第二模式之間切換。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述離子源包括用于在所述多個操作模式之間切換的開關。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述離子源包括RF電源及RF匹配網絡，用于在所述RF模式下操作所述離子源。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述離子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、銦、鍺及碳中的至少一個而產生等離子體。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述離子源包括陰極、反射極以及第一額外電極以提供較大電極面積。

18.根據權利要求13所述的方法，其中所述離子源包括陰極、反射極、第一額外電極以及第二額外電極以提供較大電極面積。