[發明專利]用于化學處置和熱處置的高產量處理系統及操作方法

有效

• 申請號: 200980129301.1
• 申請日: 2009-07-13
• 公開（公告）號: CN102105312A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 杰·R·華萊士;托馬斯·哈梅林;高橋宏幸;亞瑟·H·拉弗拉彌;格雷戈里·R·惠曼
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B44C1/22
• 分類號: B44C1/22
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種用于對多個襯底進行化學處置的處理系統，包括：

化學處置系統，包括化學處置室、受到溫度控制的襯底保持器、氣體噴射組件、加熱器組件和真空泵送系統，所述受到溫度控制的襯底保持器安裝在所述化學處置室內并被構造成在其支撐表面上支撐兩個或更多個襯底，所述氣體噴射組件耦合到所述化學處置室并被構造成將一種或多種處理氣體引入所述化學處置室中的處理空間以對所述兩個或更多個襯底上的暴露表面層進行化學改變，所述加熱器組件耦合到所述氣體噴射組件并被構造成使所述氣體噴射組件的溫度升高，所述真空泵送系統耦合到所述化學處置室；

熱處置系統，包括熱處置室、一個或多個受到溫度控制的襯底保持器，這些襯底保持器安裝在所述熱處置室內并被構造成支撐兩個或更多個襯底，其中，所述一個或多個受到溫度控制的襯底保持器包括機構、襯底抬升器組件和真空泵送系統，所述機構使所述兩個或更多個襯底的熱處置襯底溫度升高以對其上經過所述化學改變的暴露表面層進行熱處置，所述襯底抬升器組件耦合到所述熱處置室以使所述兩個或更多個襯底在轉移平面與所述一個或多個受到溫度控制的襯底保持器之間豎直平移，所述真空泵送系統耦合到所述熱處置室并被構造成將所述熱處置的氣體產物排空；以及

隔離組件，其耦合到所述化學處置系統和所述熱處置系統，其中，所述隔離組件包括專用的襯底操縱器，所述襯底操縱器被構造成將所述兩個或更多個襯底轉移進所述化學處置系統和所述熱處置系統以及轉移出所述化學處置系統和所述熱處置系統。

2.根據權利要求1所述的處理系統，還包括：

控制器，其耦合到所述化學處置系統和所述熱處置系統中的至少一者，并被構造成對下述項中的至少一者執行設定、監視和調節中的至少一項：化學處置室溫度、化學處置氣體分配系統溫度、化學處置襯底保持器溫度、化學處置襯底溫度、化學處置處理壓力、化學處置氣體流速、熱處置室溫度、熱處置襯底保持器溫度、熱處置襯底溫度、熱處置處理壓力、熱處置氣體流速。

3.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述隔離組件提供熱隔離和真空隔離中的至少一項。

4.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述氣體噴射組件包括受到溫度控制的部分，該部分暴露于所述化學處置室中的所述一種或多種處理氣體。

5.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述化學處置室的溫度受到控制。

6.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述一種或多種處理氣體包括第一處理氣體和第二處理氣體，并且其中，所述氣體噴射組件被構造成獨立于所述第二處理氣體而引入所述第一處理氣體。

7.根據權利要求6所述的處理系統，其中，所述氣體噴射組件被構造成將所述第一處理氣體和所述第二處理氣體分配到所述兩個或更多個襯底上方。

8.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述第一處理氣體包括HF，所述第二處理氣體包括NH₃。

9.根據權利要求1所述的處理系統，其中，所述受到溫度控制的襯底保持器包括：

受到溫度控制的襯底臺，其具有被構造成支撐所述兩個或更多個襯底的所述支撐表面、與所述上表面相反的下表面、以及邊緣表面；

封閉的流體溝道，其形成于所述受到溫度控制的襯底臺的內部；以及

兩個或更多個支撐柱，其被構造成將所述受到溫度控制的襯底臺支撐在離所述化學處置室的壁一段距離處，其中，所述兩個或更多個支撐柱各自包括第一端和第二端，所述第一端耦合到所述襯底臺的所述下表面，所述第二端耦合到所述化學處置室的所述壁。

10.根據權利要求9所述的處理系統，其中，所述受到溫度控制的襯底保持器還包括：

流體熱單元，其被構造和布置成對熱傳遞流體的溫度進行控制；

第一流體導管，其穿過所述兩個或更多個支撐柱中的一者而形成，所述第一流體導管被構造成從所述流體熱單元接收所述熱傳遞流體并將所述熱傳遞流體供應到所述封閉的流體溝道系統的入口端；以及

第二流體導管，其穿過所述兩個或更多個支撐柱中的另一者而形成，所述第二流體導管被構造成從所述封閉的流體溝道系統的出口端接收所述熱傳遞流體。