[發明專利]使用EMM-13制備烷基芳族化合物的方法

有效

• 申請號: 200980129063.4
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN102105397A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: T·E·赫爾登;M·J·文森特
• 申請（專利權）人: 埃克森美孚化學專利公司
• 主分類號: C01B39/46
• 分類號: C01B39/46;C01B39/48;B01J29/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 寧家成

1.一種制備單烷基芳族化合物的方法，所述方法包括使包含可烷基化的芳族化合物和烷基化劑的原料在烷基化反應條件下與催化劑接觸，該催化劑包含具有由氧原子橋連的四面體原子的骨架的分子篩，所述四面體原子骨架由具有下表中所示的按納米計的原子坐標的晶胞定義：

2.權利要求1的方法，其中所述分子篩進一步具有涉及以下摩爾關系的組成：

X₂O₃:(n)YO₂，

其中X是包含鋁、硼、鐵和鎵中至少一種的三價元素，Y是包含硅和鍺中至少一種的四價元素，且n是至少約30。

3.權利要求1或2的方法，其中在無水基礎上并且按摩爾氧化物/n摩爾YO₂計，合成后原樣形式的所述分子篩進一步具有下式：

(0.005-1)M₂O:(1-4)R:X₂O₃:nYO₂

其中M是堿金屬或堿土金屬，n為至少約30，且R是有機結構部分。

4.權利要求2或3的方法，其中所述n是約30到約150。

5.權利要求2-4中任一項的方法，其中X是鋁，且Y是硅。

6.前述權利要求中任一項的方法，包含低于1wt％的Ti。

7.前述權利要求中任一項的方法，具有至少150μmol/g的可力丁吸附能力。

8.前述權利要求中任一項的方法，其中呈合成后原樣的形式和煅燒過的形式的所述分子篩進一步具有包括d間距最大值在13.18±0.25、12.33±0.23、11.05±0.2和9.31±0.2埃的峰的X-射線衍射圖，其中所述d間距最大值在11.05±0.2和9.31±0.2埃的峰之間具有谷，并且在所述谷的最低點處用背景校正的測定強度小于在連接11.05±0.2和9.31±0.2埃的d間距最大值的線上在相同XRD?d間距點強度的50％。

9.權利要求8的方法，其中呈合成后原樣的形式和煅燒過的形式的所述分子篩進一步具有包括在6.9±0.15、3.57±0.07和3.42±0.07埃處的峰的X-射線衍射圖。

10.前述權利要求中任一項的方法，其中所述可烷基化的芳族化合物選自苯，萘，蒽，并四苯，苝，暈苯，菲，二甲苯，正丙基苯，α-甲基萘，鄰-二乙苯，間-二乙苯，對-二乙苯，五乙基苯，五甲基苯；1，2，3，4-四乙基苯；1，2，3，5-四甲苯；1，2，4-三乙苯；1，2，3-三甲苯，間-丁基甲苯；對-丁基甲苯；3，5-二乙基甲苯；鄰-乙基甲苯；對-乙基甲苯；間-丙基甲苯；4-乙基-間二甲苯；二甲基萘；乙萘；2，3-二甲基蒽；9-乙基蒽；2-甲基蒽；鄰-甲基蒽；9，10-二甲菲；3-甲基-菲和它們的混合物。

11.前述權利要求中任一項的方法，其中所述可烷基化的芳族化合物包含苯和萘中的至少一種。

12.前述權利要求中任一項的方法，其中所述烷基化劑選自烯烴，醇，醛，烷基鹵和它們的混合物。

13.前述權利要求中任一項的方法，其中所述烷基化劑包含乙烯、丙烯和各種丁烯中的至少一種。

14.前述權利要求中任一項的方法，其中所述烷基化反應條件包括約0℃到約500℃的溫度，約0.2到約25000kPa的絕對壓力，約0.1∶1到約50∶1的可烷基化的芳族化合物與烷基化劑的摩爾比，和基于所述烷基化劑計約0.1到500hr^-1的進料重時空速(WHSV)。

15.權利要求1-9中任一項的方法，其中所述可烷基化的芳族化合物包含苯，所述烷基化劑包含乙烯，所述單烷基芳族化合物包含乙基苯，所述烷基化反應條件包括約150℃到約300℃的溫度，約2000到約5500kPa的絕對壓力，約0.5∶1到約50∶1的可烷基化的芳族化合物與烷基化劑的摩爾比，和基于所述烷基化劑計約0.1到20hr^-1的進料重時空速(WHSV)。